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Vishay Siliconix推出新款E系列MOSFET器件

EDN China?? 2011年10月12日 ?? 收藏0

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大导通电阻,以及22A~47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术,具有超低栅极电荷,以及较低栅极电荷与导通电阻乘积,该乘积是衡量用在功率转换应用中的MOSFET的重要优值系数。

  与前一代S系列器件相比,新的E系列技术使导通电阻降低了30%。根据应用的不同,这些产品可以提供更高的功率密度,使转换效率更上一层楼。由于这个新平台具有更低的输入电容,栅极驱动损耗也减少了。

  今天发布的12 E系列器件包括4款22A的MOSFET和4款30A的MOSFET,在10V下的导通电阻分别为190mΩ和125mΩ。22A和30A MOSFET均提供TO-220、TO-220 FullPAK、TO-247和TO-263 (D2PAK)封装。此外,在10V下导通电阻为64mΩ的47A器件采用TO-247封装,导通电阻为150mΩ的24A、650V MOSFET提供TO-220、TO-263 (D2PAK)和TO-247封装。

  E系列的超低导通电阻意味着极低的导通和开关损耗,在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、等离子切割、电池充电器、高强度放电(HID)照明、荧光灯镇流器照明、半导体固定设备,太阳能逆变器和感应加热等高功率、高性能的开关模式应用中能够节约能源。

  器件经过精心设计,可承受雪崩和整流模式中的高能脉冲,并且保证达到通过100% UIS测试所要求的各种极值。MOSFET符合RoHS指令2002/95/EC。

  新款功率MOSFET现可提供样品,量产订货的供货周期为十六周到十七周。

Vishay Siliconix推出新款E系列MOSFET器件


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