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下一代光刻技术延迟 NAND成长或趋缓

华强?? 2011年08月24日 ?? 收藏0
?? ? ? 在日前的一场闪存高峰会中,SanDisk公司的技术长YoramCedar指出,下一代光刻技术的延迟,将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟,闪存的成长可能需要再评估。

?? ? ??现有的浸入式光刻工具将能能让闪存业者前进到小于10nm左右的几何尺寸,他表示。此外,供应商们也正在努力使用现有晶圆厂工具来建构3D堆叠NAND串,以进一步提升产能和供给量。

?? ? ??而在未来,包括SanDisk在内的芯片制造商都在开发新的3D架构,运用阻抗的变化来建构更高密度的芯片。但是,这种所谓的电阻式RAM(resistiveRAM)将需要EUV工具,他表示。

?? ? ??Cedar拒绝透露任何有关EUV或当前3D芯片研究的具体时间表。不过,他表示,芯片制造商预计将推出采用浸入式工具开发的64和128Gb闪存元件。

?? ? ??“从可用性和成本角度来看,今天半导体产业中,许多人都非常关注EUV的发展,但这项技术将耗资数百万美元。”Cedar表示。

?? ? ??据报导,今年一月起便有一些预生产的EUV工具开始出货。而一些报告也指出,EUV工具成本可能高达1.2亿美元。

?? ? ??但Cedar很乐观:EUV终将成为大家都可负担得起的方案。他还指出,业界一直恐惧摩尔定律即将终结,但迄今这仍然没有根据。

?? ? ??“当处于90nm时,我们认为要前进到56nm非常困难,且这场工艺竞赛很可能随时结束,”他说。

?? ? ??但好消息是闪存的需求一直很强劲。2015年以前,闪存的预估复合成长率达25%,几乎是硬盘存储的一倍,更远高于目前成长率仅1%的DRAM,他说。

?? ? ??截至2015年,大约三分之一的NAND位元量将应用在多达11部的智能手机中,Cedar表示。而平板电脑在2015年估计可达3.27亿部,预估将消耗另外15%的NAND位元量。

?? ? ??“平板电脑代表了一个从零开始,快速成长到规模相当庞大的市场,”他说。“今天市场上有更多创新产品不断问世,甚至在3~4年都无法预测到它们会如此蓬勃发展,未来这些产品也将维持其发展态势,”他补充道。

?? ? ??他预计固态硬盘将消耗25%的NAND位元量,其中用户设备为1.33亿部,服务器约1,200万部。其余的NAND方面约有26%会用在MP3播放器、USB驱动和数码相机中,他表示。


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NAND? 闪存? 光刻? 智能手机?

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