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揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(上)

MACOM科技?? 2016年06月14日 ?? 收藏0
前言:

用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。

氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。

这里我们将详细了解下LDMOS、碳化硅基(SiC)氮化镓和MACOM氮化镓技术的优缺点,从产品性能、成本控制以及供应链生态系统方面权衡它们的利弊。作为一家在无线基础设施应用领域有着几十年的经验和专业知识的公司,MACOM在评估它们在商业基站应用领域的专业度方面无疑更有发言权。

误区一:硅基氮化镓功率晶体管比LDMOS的效率优势可忽略不计,与碳化硅基氮化镓器件的效率优势无法比拟。

MACOM公司基于氮化镓的MAGb功率晶体管在2.6GHz频段可提供高于70%的峰值效率以及19dB的线性增益,若匹配以合适的谐波阻抗其峰值效率会超过80%。该功率效率性能可与最优秀的碳化硅基氮化镓器件的效率相匹敌,与传统LDMOS器件相比有10%的效率提升。

若能被正确地应用,这个效率优势会帮助节省大量电费,并通过减小散热装置、供电模块(PSU)以及射频拉远单元(RRH)的整体尺寸,节省资本支出(CAPEX),这将对营运商节省运营支出(OPEX)产生深远的影响。若平均电费为$0.1/KWh,仅将新的宏基站替换使用氮化镓技术,一年节省的电费可超过1亿美金。

LDMOS,MACOM GaN 和 GaN on SIC 三者的优劣势对比
LDMOS,MACOM GaN 和 GaN on SIC 三者的优劣势对比

误区二:碳化硅基(SiC)氮化镓的热特性保证了功率放大器更好的可靠性。

MACOM公司的MAGb功率晶体管系列在真实的基站工作温度200°C的环境下MTTF超过106小时,由此可见该器件在基站现场确实和碳化硅基氮化镓器件一样稳健可靠,与传统LDMOS器件的持久性相当。

MACOM借助先进的晶体管设计和封装技术实现与碳化硅基氮化镓器件相同的热性能。通过优化晶体管布线设计以及采用创新的散热材料和裸片焊接方法,有效消除了Si相对SiC在衬底中15%到30%的导热性差异。

误区三:基于氮化镓的器件引入了线性问题,很难用数字预失真技术来修正。

Doherty功率放大器结构因为高回退效率而被广泛采用,但由于其引入非线性失真,会导致信号放大的失真问题。这可以通过数字预失真(DPD)来修正,但实践表明,碳化硅基氮化镓器件实现DPD优化相当困难。碳化硅中的电荷捕获效应被认为是由于其硅结构中的晶格缺陷所致,最终导致功率放大器的线性化困难。

相较而言,MACOM基于氮化镓的MAGb功率晶体管比其他氮化镓技术更易于线性化和使用DPD技术来进行修正,并没有遇到其它碳化硅基氮化镓器件遇到的缺陷,从技术角度比LDMOS和碳化硅基氮化镓更适合基站应用。


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氮化镓? 无线基站?

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