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英飞凌新一代CoolMOS?可减少50%的开关损耗

英飞凌?? 2016年04月06日 ?? 收藏0
英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm2的面比电阻(RDS(ON)*A),它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合,可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗,适合大功率开关电源(SMPS)应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本(BoM)和总拥有成本(TCO)的工业应用。

CoolMOS C7可降低超大型数据中心和电信基站等要求提高效率和降低TCO的应用的开关损耗。CoolMOS C7可使PFC和LLC拓扑的效率分别提高0.3%-0.7%和0.1%,这有利于显著降低总拥有成本。对于2.5 kW的服务器PSU,使用C7 600 V MOSFET可将因PSU能量损失导致的能源成本降低10%左右。

在企业服务器等关注组件和其他成本的应用中,CoolMOS C7 600 V器件可帮助降低磁性元件成本。由于栅极电荷和输出电容显著降低,C7的开关频率是CoolMOS? CP的两倍,但效率仅稍逊于CoolMOS? CP。这有助于最大限度缩小磁性元件尺寸,降低组件总成本。比如,开关频率从65 kHz增大一倍至130 kHz时,磁性元件成本可降低30%之多。

CoolMOS C7 600 V家族产品将在两个300毫米晶圆厂制造,可为客户提供供货保障。该家族产品囊括RDS(ON)值和封装各不相同的众多型号,首发型号包括采用极具创新性的TO-247 4管脚封装的型号。这种4管脚封装它可消除因快速瞬变导致的电源电感电压降,从而将满载效率最多提高0.4%。

英飞凌副总裁兼AC/DC产品线总经理Peter Wawer表示:“作为英飞凌高压MOSFET产品组合的一部分,全新CoolMOS C7 600V家族是英飞凌预计2016年初推出的GaN器件的重要‘奠基石’。依托已实现批量生产的现成、可靠的技术,CoolMOS C7器件可最大限度降低开关损耗,实现高达200 kHz的开关频率,而英飞凌的GaN技术将进一步扩大频率范围,支持新型拓扑。”

与CoolMOSC7 600 V形成互补、搭载行业标准管脚的英飞凌全新2EDN7524 EiceDRIVER? IC,拥有两个独立的非隔离式低侧栅极驱动器,每个驱动器可支持5 A的源汇峰值电流。两个通道都能实现典型的5ns上升和下降时间,而1 ns的通道间延时匹配方便设置同步切换,使总驱动电流增加一倍。虽然电流增大,但输出级的RDS(ON)非常低,这可最大限度降低驱动器的功耗——即便使用非常小的栅极电阻、或者不用任何外部栅极电阻。因为驱动器IC能兼容控制和启用输入端高达-10 VDC的电压,所以它能有效应对接地反弹,提高系统可靠性。


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电压? 磁性元件?

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