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Navitas: 业界首款氮化镓驱动与功率集成芯片(GaN Power IC)

Navitas?? 2016年04月05日 ?? 收藏1
Navitas(音译:纳微达斯) 半导体今天宣布推出基于其专利的AllGaN 650V单片平台上研发的业界首款氮化镓(GaN)驱动与功率集成芯片。集成逻辑电路,驱动电路的氮化镓功率芯片(GaNPower IC)能够实现比现有的硅电路高10倍至100倍的开关频率,使得系统体积更小,重量更轻,成本更低。新一代高频(10x~100x),高效率的电源变换器正在应用于智能手机和笔记本充电器,OLED 电视, LED照明,太阳能逆变器,无线充电设备和数据中心电源。

“氮化镓功率管(GaN FET)由于其固有的高开关速度和高开关效率,使其在电力电子市场取代硅类开关器件具有巨大的潜力”Navitas的首席技术官&首席运营管DanKinzer说。“在此之前,氮化镓功率管的应用潜力因缺乏高性能氮化镓驱动电路来有效和更快速地开关氮化镓功率管而受到限制。Navitas的功率芯片已经解决了这个技术挑战,开启了氮化镓功率器件的全部潜力。有了集成氮化镓驱动逻辑电路的氮化镓功率器件,业界现在可以进行高性价比,简单易用的高频化电源系统设计。”

首席执行官Gene Sheridan 补充道“上一次电力电子行业在功率密度,效率和成本的大幅度提高是在70年代末,由金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)取代双极性晶体管(NPN)实现从线性稳压到开关稳压的转换过程中实现的,在很短的时间内功率密度提高了10倍,功率损耗降低了3倍,成本也相应降低了3倍。类似的市场颠覆即将出现,氮化镓功率芯片的高频化极大地提高功率密度和效率,同时大幅度减低成本,将会取代现有低频的基于硅的电源系统。对业界而言这是一个激动人心的时刻。”

Navitas半导体在2016年3月21号的应用电力电子会议(APEC)的主题演讲“氮化镓功率芯片冲破开关速度限制”中介绍了AllGaN平台和在它基础上开发的氮化镓驱动功率一体化芯片。


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