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GaN Systems CEO:GaN晶体管掀起电源转换市场新革命之全解读

Franklin Zhao?? 2016年02月29日 ?? 收藏4

技术比较:硅、SiC和GaN,是否会是竞争关系?

品质因数(FOM)是晶体管的最重要的参数,它等于Rdson * Qg。前者是传导损耗,后者是开关损耗,这二者构成了电源那10%的损耗。这在实验室可以测量得到。

“回顾历史,MOSFET最开始是在大约1990年推出,IR的HEXFET是当时最好的产品之一。大约在2000年,超结晶体管推出了。ST和Infineon的产品最好,比如Infineon的CoolMOS C7系列是世界上最好的超结晶体管。它赢得了非常好的市场份额。而现在到了GaN Systems的GaN晶体管器件。”Witham先生说。

GaN晶体管掀起电源转换市场新革命之全解读
图5:硅、SiC和GaN晶体管技术对比

“那么价格呢?”当笔者插话问到时,Witham先生表示:“从根本上讲,GaN晶体管要比超结晶体管便宜。但现在由于产量关系,它比较贵(大概2~3倍价格)。但是如果量大的话,它的价格可以低于硅器件。”(注意:这里只是说器件价格,总体BOM成本要更加便宜哦!)

那么,GaN和SiC应用的区别在哪里,是否会是取代关系?Witham先生回答道:“从曲线上看,SiC的性能和C7差不多,也就是说它的开关和传导性能并没有那么好。但是SiC非常适用于高电压,以及高温(200℃)情况。GaN和SiC的竞争并不是非常大。SiC是高压器件,GaN是中压,Si则是低压。我想,Infineon、ST在展会上可能都说过同样的话:0~100W是Si器件的适用范围,100W~1200W是GaN,1200W以上则是SiC。”

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氮化镓晶体管? 半导体? 电源转换? 太阳能?

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