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氮化镓系统新半桥评估板简化氮化镓晶体管测试

GaN Systems?? 2016年01月05日 ?? 收藏0
现在可通过本地和线上分销购买

安大略省渥太华,2016年1月5日 - 氮化镓系统公司(GaN Systems)——领先的氮化镓功率晶体管制造商,宣布推出该公司可对其氮化镓增强型功率半导体器件在实际电源电路中的性能进行演示的新型半桥评估板。全功能的GS66508T-EVBHB评估板可以很容易地配置成任何基于半桥的拓扑结构,包括同步升压和降压转换模式,以及可用来评估晶体管波形的脉冲开关模式。该评估板提供快速入门操作指南和YouTube视频链接支持,可以在几分钟内设置好并使用。每个开发套件配有完整文档,包括物料清单(BoM)器件型号、PCB布局和热管理,以及栅极驱动电路参考设计,从而帮助系统工程师开发他们的产品。

氮化镓系统的全功能GS66508T-EVBHB评估板,可以对该公司氮化镓增强型功率半导体器件在实际电源电路中的性能进行演示。
氮化镓系统的全功能GS66508T-EVBHB评估板,可以对该公司氮化镓增强型功率半导体器件在实际电源电路中的性能进行演示。

该评估板旨在为电气工程师提供一个完整的工作功率级,它包含两个650V、30A GS66508T GaN FETs、半桥栅极驱动器、栅极驱动器供电电源以及散热器。GS66508T大功率晶体管基于氮化镓系统的专有岛技术?设计,属于该公司可实现极高效电能转换的、高开关速度(大于100V/ns)、超低热损耗的650V高密度器件系列。氮化镓系统是唯一一家开发出GaN功率晶体管全面产品组合并将其商业化的公司,该产品组合的额定电压为100V和650V,额定电流从7A至250A。使用氮化镓系统的岛技术裸芯片设计,结合GaNPX?封装的极低电感和热效率特性,GaN FET相比传统的硅MOSFET和IGBT,在开关和导通性能方面表现出高45倍的改善。30A/50m? GS66508T GaN功率晶体管是顶侧冷却型器件,并具有准芯片级、高效散热的GaNPX?封装。在1.5kW时,该器件的功率转换效率为98.7%,该数值可以在用户的实验室中得到再现。

该评估板为输出功率电感器和电容器提供引脚焊接位置,因此用户可以将评估板配置成所需的升压或降压工作模式。通过热电偶和热成像相机(thermal camera)成像端口可以监测晶体管结温。电源输入应为9VDC至12VDC,最高绝对值为15V。板载稳压器可为逻辑电路和栅极驱动器分别产生+5V和+6.5V电源。该评估板工作在三种模式:脉冲测试模式、降压/标准半桥模式以及升压模式。完整的用户指南可通过以下链接查看:

http://gansystems.com/evaluationboards/GS66508TEVBHB_UserGuide_rev2%20151020.pdf

新的GS66508T大电流半桥评估板现可通过氮化镓系统的全球分销商网络购买。购买者若想要找到方便的本地分销商,请使用“GS66508T-EVBHB”型号进行搜索。定价以当地货币计算,该开发套件的零售价为299美元。

关于GaN Systems

GaN Systems是电子工程师能够在他们的电源转换应用中实现氮化镓晶体管所有系统优势的公司。为了克服半导体硅在开关速度、温度、电压和电流方面的限制,该公司为消费、数据中心、工业和汽车市场开发了最完整的氮化镓功率开关晶体管系列。GaN Systems的岛技术?能够解决当今成本、性能和可制造性的挑战,从而能够获得比其他GaN设计方法体积更小、更有效的产品。该无晶圆厂半导体公司总部设在加拿大渥太华。欲了解更多信息,请访问:www.gansystems.com


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氮化镓晶体管?

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