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电源小贴士:教你用分立组件设计稳健低成本的串联线性稳压器

2015年10月16日 ?? 收藏5
有些应用需要宽松的输出调节功能以及不到20mA的电流。对这样的应用来说,采用分立组件打造的线性稳压器是一种低成本高效益的解决方案(图1)。而对于具有严格的输出调节功能并需要更大电流的应用,则可使用高性能的低压差线性稳压器(LDO)。

图1:简单的串联稳压器。
图1:简单的串联稳压器。

有两个与图1所示电路相关的设计挑战。第一个挑战是要调节输出电压,第二个挑战是要在短路事件中安然无恙。在这篇文章中,笔者将讨论如何用分立组件设计稳健的线性稳压器。

下面是一个用来给微控制器供电的示例:

·输入范围:8.4V至12.6V。

·输出范围:1.71V至3.7V。

·最大负载电流:Io_max = 20mA。

双极型NPN晶体管的选择

NPN双极型晶体管Q1是最重要的组件。笔者首先选择了这种器件。该晶体管应符合下列要求:

·集电极至发射极和基极至发射极的击穿电压应超过最高输入电压Vin_max。

·集电极最大允许电流应超过最大负载电流Io_max。

除了这两项基本要求之外,使用具有备选封装的组件也是一个好主意。当涉及到功耗时,拥有这种灵活性将会简化以后的设计过程。笔者为这种应用选择了具有备选封装和不同额定功率的NPN晶体管。

下面是笔者所用NPN晶体管的关键特性。

当IC = 50mA时:

直流(DC)电流增益hFE = 60;

集电极-发射极最高饱和电压VCEsat = 300mV;

基极-发射极最高饱和电压VBEsat = 950mV。

齐纳二极管Dz的选择

输出电压等于反向齐纳电压VZ减去该晶体管基极至发射极电压VBE。因此,最低反向齐纳电压应符合下述要求(方程式1):

图2

(1)

对于这种应用,笔者选用的一个测试条件是IZT = 1mA,并选择了一个具有以下特性的齐纳二极管:

当Vo_min = 1.71V且VBE_max= 0.95V时,Vz_min应大于2.65V。

当反向电流IZT = 1mA时,最低反向电压VZ_min = 2.7V。

当反向电流IZT = 5mA时,最高反向电压VZ_max = 3.8V。

基极上拉电阻器RB

电阻器RB可为齐纳二极管和晶体管基极提供电流。在运行条件下,它应提供足够的电流。齐纳二极管反向电流IZ应大于1mA,正如笔者在“齐纳二极管Dz的选择”部分所讨论的。方程式2可估算出运行所需的最大基极电流:

图3

(2)

其中Hfe_min = 60。因此,IB_max ≈ 0.333mA。

方程式3可计算出RB的值。笔者使用了一个具有1%容差的电阻器。

图4

(3)

故此,RB应小于4.26kΩ。笔者使用了一个具有4.22kΩ标准值的电阻器。

添加一个用于输出调节的虚拟负载电阻器

当负载电流为零时,输出电压达到最大值。当1mA ≤ IZT ≤ 5mA时,VZ最大值为3.8。VBE(on)应大于0.1V,这样该稳压器的输出就能符合要求。此外,笔者还添加了一个虚拟负载电阻器,以便在无负载条件下汲取集电极电流。

图2显示,VBE(on)可作为集电极电流IC的函数。当IC = 0.1mA时,VBE(on) 大于0.3V。

图2:基极-发射极导通电压与集电极电流
图2:基极-发射极导通电压与集电极电流

方程式4可计算出该虚拟电阻:

图6

(4)

笔者将一个36kΩ的电阻器添加到了该电路,如图3所示。

图3:具有虚拟负载电阻器的串联稳压器
图3:具有虚拟负载电阻器的串联稳压器

下一页:为短路事件进行的电流限制


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