EDN China > 商情观察 > 工业电子 > IC制造与封装 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

Globalfoundries性能跑分告诉你:采用FD SoI的重要性

赵娟?? 2015年09月22日 ?? 收藏0
FD SoI一直宣称能提供FinFET工艺级别的性能及功耗,但制造成本却降低一个级别——22FDX工艺核心面积比28nm工艺减少20%,光罩减少10%;比FinFET少50%的沉浸层——因此可以显著地降低制造成本和掩膜成本。此外,绝缘衬底使得集成射频变得更简单。

FD SoI现在主要瞄准IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络应用等。目前已有三家代工厂可以提供FD-SoI工艺,与另外两家(ST和三星)不同的是,Globalfoundries公司缺少兄弟IC设计公司——只能接外部定单,且该公司是跳过28nm,首个推出22nm FD-SOI工艺的代工厂。

在上周上海FD SoI论坛同期举行的媒体见面会上,来自Globalfoundries公司全球设计方案部门副总裁Subramani Kengeri和RF产品与业务部门总监Peter Rabbeni和EDN记者分享了关于22FDX的细节以及公司的RF SoI工艺,本文会详细介绍下其工艺能力细节。

图:Globalfoundries RF部门业务开发与产品营销总监Peter Rabbeni(左);Globalfoundries全球设计解决方案部门副总裁Subramani Kengeri(右)
图:Globalfoundries RF部门业务开发与产品营销总监Peter Rabbeni(左);Globalfoundries全球设计解决方案部门副总裁Subramani Kengeri(右)

22FDX中的X指的是平台的扩展性,Globalfoundries已经扩展出了四个不一样的平台,以此来满足不同的需求。

图1 系统的总体框图

“第一个是ulp,如果您希望0.4伏的工艺电压,ulp是可以做的到;ull可以面向低漏电产品,将漏电电量降至1pA/um,这个是目前行业能够做到的最好的;uhp可以为您提供超越FinFET的表现;rfa是一个延展平台,面向所有的射频模拟产品。”Kengeri指出。所以22FDX这单一的技术平台,其实可以拓展,满足很多不同应用的需求。

算下0.4V运行电压,功耗会差多少?

Globalfoundries的22FDX工艺可以提供业界最低的0.4V运行电压,因此功耗非常低。

工作电压低至0.4V——这是世界上唯一一个可以把电压做到这么低的工艺,包括所有已知的正在开发中的工艺。

台积电的28nm HP工艺运行电压是0.85-0.9V,而集成电路的动态功耗跟电压的平方成正比——这么一解释,知道功耗差多少了吧!

图1 系统的总体框图

“再举一个例子,从总功耗和频段的图上看,1.2GHz对于高端手机非常重要,800MHz主要针对的是中端机,也有低端的手机520MHz。对于1.2GHz频段,22FDX能相比28HKMG提高至少50%的性能,和降低18%的能耗。在800MHz频段,22FDX可以实现降低47%功耗。而对于520MHz 层面,工艺电压0.4V的情况下,功耗能降低92%。”Kengeri指出,目前的技术来讲,只有22FDX可以做到。

现在市场上80%使用的是28HKMG,但Kengeri相信他们会逐渐转换和使用22FDX。

简而言之:设计者可以在这两个之间做选择,要么是FinFET那样的高性能,要么就是使用0.4V工艺电压带来的能耗降低。而这一切的成本始终是和28SLP-HKMG相当。

分页导航

第2页:软件控制晶体管体偏压:更好的平衡功率与性能

第3页:选择RF-SOI:四大趋势与三大原因


《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载


上一页123下一页
?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

FinFET? 移动芯片?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈