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IIC电源论坛:电子产品多样化趋势下的电源新需求

Franklin Zhao?? 2015年09月14日 ?? 收藏0
电源是电子产品的心脏,任何电子产品都离不开电源工作。随着电子产品的多样化发展,电源出现了许多新的特点和新的需求。新的电源需要满足更严格的标准,提供更高的效率以及更高的精度。同时,工程师需要有更先进的测试测量仪器来满足这些新标准的验证。

中国电子产品的发展势头蒸蒸日上,这对电源管理器件和功率IC也提出了更多、更高的新需求。移动设备等设备中的电源管理IC要求提供更高水平的集成度。氮化镓由于具有更高击穿电压和更高开关速度等优势,将是下一代大功率器件的发展方向。此外,随着电动车的快速发展,充电桩和充电站等配套设施也将迎来快速增长。

本届IIC-China电源管理与功率半导体技术论坛上,来自宜普电源、泰克、东部高科、是德科技、艾德克斯、安森美以及安华高等七家公司的技术专家分别从电源管理IC、功率半导体器件、针对充电桩应用的光耦产品以及电源测试解决方案的角度入手,对当前的产业发展方向和最新技术进行了深度分享。从中,工程师将能够领略到一些新的概念与方案,来帮助实现更好的电源产品设计。

eGaN FET比最优越的MOSFET效率还高

宜普电源转换公司(EPC)FAE经理陈钰林带来的演讲主题是“基于eGaN FET与MOSFET并符合A4WP无线电源第三级规范的ZVS D 类放大器的性能的比较”。

图1 系统的总体框图

他指出,与采用MOSFET的放大器相比,采用eGaN FET的无线电源传送ZVS D类放大器可工作在宽阔的阻抗范围内。这种放大器多次展示了其可以取得更高效率。宜普在电源管理与功率半导体论坛上讨论了如何进一步改善eGaN FET的性能的方法。

eGaN FET利用一个与其下器件的栅极同步驱动的eGaN FET来替代高侧栅极驱动器的自举二极管。该栅极驱动器的集成式自举二极管具有反向恢复损耗(PQRR),这是因为在同一块晶圆上集成一个Schottky二极管作为栅极驱动器电路非常困难。这会限制放大器的高频性能,因为与频率相关的反向恢复损耗从上方的器件耗散。

宜普利用该公司技术替代驱动器的内部自举二极管进行评估,并且对基于eGaN FET及MOSFET、符合A4WP第三级规范及工作在宽阔负载阻抗范围内(±35j Ω)的ZVS D类放大器做了比较。结果表明,与基于等效及最优MOSFET的放大器相比,基于eGaN FET的放大器的损耗减少了15% 至48%,而该放大器可以在更宽阔(可达20j Ω)的负载阻抗范围内工作。

图1 系统的总体框图

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