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SiC会一统天下吗?

老墨?? 2015年07月20日 ?? 收藏1

SiC MOSFET发展趋势

据介绍,ROHM的第二代SiC MOSFET正在量产中,主要是1200V和650V的产品。1200V的产品,最小可以做到45mΩ,650V的主要以120 mΩ为主。而第三代产品,主要还是以1200V的40mΩ、650V的30 mΩ为主,未来会做到22 mΩ和17 mΩ。自今年10月份开始,ROHM会逐步开始这些产品的量产。未来,ROHM还将继续开发118A(650V)、95A(1200V)的分立产品。

ROHM现在的MOSFET产品电压为650V和1200V,今后还会推出1700V甚至更高电压的产品,主要针对铁路、太阳能、风能等应用。水原德健表示,太阳能和风能功率产品的最大区别在于太阳能通常有1200V就可以了,而风能必须要1700V,甚至3300V。家用车一般为650V,大巴需要1200V,高铁则可能需要1700V或3300V以上。为了满足上述应用需求,ROHM会持续开发更高电压的产品,以及各种大电流模块产品。

SiC MOSFET未来有哪些发展趋势?水原德健表示,使门极耐破坏性做得更好,会是ROHM今后继续努力的方向。同时,当多个沟槽排列在一起,将每个沟槽间做得更为精细化,能够降低芯片尺寸;或是在同样芯片尺寸的情况下,降低导通电阻,都会是未来的发展方向。

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? 第1页: SiC功率器件有什么优势?? 第2页:从平面到沟槽,多少路要走?
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? 第5页:SiC也有“摩尔定律”吗?? 第6页:SiC之“硬”——长处也是短板

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SiC? 硅材料?

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