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哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

编译:胡安?? 2015年07月14日 ?? 收藏0
美国时间7月13日GlobalFoundries宣布推出其全新的“22FDX”工艺平台,成为全球第一家实现22nm FD-SOI(全耗尽绝缘硅),专为超低功耗芯片打造。

FD- SOI技术仍然采用平面型晶体管,目前并不为业内看好,因为无论Intel还是三星、台积电,22n时代起就纷纷转入了立体晶体管,也就是FinFET。GlobalFoundries技术实力欠佳,自己搞不出足够好的立体晶体管技术,22nm上只能继续改进平面型,20nm上努力了一阵放弃了,14nm 索性直接借用三星的。

哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者?

尽管如此,GF 22nm FD-SOI工艺也是有一些独特优势的,虽然无法制造高性能芯片,但也很适合移动计算、IoT物联网、射频联网、网络基础架构等领域。

GlobalFoundries宣称,该工艺功耗比28nm HKMG降低了70%,芯片面积比28nm Bulk缩小了20%,光刻层比FinFET工艺减少接近50%,芯片成本比16/14nm低了20%,而且功耗超低,电压可以做到业界最低的0.4V, 并可通过软件控制晶体管电压,还集成了RF射频,功耗降低最多50%。

甚至,它可以提供类似FinFET工艺的性能。

哪些半导体公司会成为22nm FD-SOI的尝鲜者呢?

GF 22nm FD-SOI工艺将于2016年下半年在德国德累斯顿工厂投产,为此已投资2.5亿美元。ARM、Imagination、意法半导体、飞思卡尔、VeriSilicon、IBS、Semeria、Soitec等都表达了支持,将会采纳。

意法半导体CEO Jean-Marc Chery表示:GLOBALFOUNDRIES的FDX平台,使用的先进FD-SOI晶体管结构是我们长期的合作研究而来的,能满足IoT对always-on和低功耗的需求,以及其它功耗敏感的设备的需求。

飞思卡尔的MCU group VP Ron Martino表示:飞思卡尔的下一代i.MX系列应用程序处理器利用FD-SOI工艺实现低功耗。GLOBALFOUNDRIES 22FDX平台将FD-SOI扩展到28nm以下,对成本和功耗都带来显著优化。

ARM物理设计部总经理Will Abbey表示: 我们正在与GLOBALFOUNDRIES密切合作,提供客户所需的IP生态系统,帮助他们从22FDX技术中获益。

VeriSilicon总裁兼首席执行官戴伟民表示:VeriSilicon已经拥有利用FD-SOI技术实现IoT SoC的经验,我们已经通过FD-SOI实现超低功耗的应用。我们期待与GLOBALFOUNDRIES在22FDX继续合作。

下一页:对下一代低功耗电子产品,是一个关键的里程碑

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22nm? 全耗尽绝缘硅? 低功耗? 平面型晶体管?

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