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意法半导体推出S系列1200V IGBT绝缘栅双极晶体管

意法半导体(ST)?? 2015年06月30日 ?? 收藏0
2015年6月25日,意法半导体推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。

新S系列拥有当前1200V IGBT市场上最低的饱和电压(VCE(sat)),可确保更低的压降与最小的功率耗散,从而简化热管理系统。此外,正VCE(sat)温度系数结合紧密的参数分布,不仅简化多支晶体管的并联设计,亦满足更大功率应用的要求。极低的电压过冲和关断零振荡(zero oscillation),帮助电源厂商使用更简单的外部电路和更少的外部组件。

10μs最小短路耐受时间(在150°C初始结温时),无闩锁(latch-up free operation)效应,拥有175°C最高结温以及宽安全工作区。多项优势体现了新产品极强的耐用性和可靠性。

作为8kHz最高开关频率硬开关拓扑的理想选择,新款S系列采用第三代沟栅式场截止(trench-gate field-stop)型制造工艺,补充并完善了意法半导体1200V IGBT的M系列和H系列的市场布局,M系列和H系列产品分别定位在20kHz与20kHz以上的开关电源市场,与新款S系列一起,这三大系列产品将成为常用开关频率电源厂商针对先进、高能效IBGT器件的最佳选择。

最新发布的S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值,采用标准引脚或TO-247加长引脚封装。全系产品标配最新的内部续流二极管(freewheeling diode),兼备快速恢复和高恢复软度,确保IGBT具有超低电磁干扰和导通损耗。

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