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DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?

2015年06月23日 ?? 收藏0
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。

韩媒BusinessKorea 16日报导,南韩半导体业者指出,16纳米将是DRAM微缩制程的最后极限,10纳米以下制程需要缩小电晶体体积,但是薄膜厚度却无法缩减,也可能不适合采用高介电常数(High-K)材料和电极。MRAM和ReRAM因此备受期待,认为可以取代DRAM和NAND Flash,业者正全力研发。

两种新存储器都是非挥发性存储器,切断电源后资料也不会消失,速度比现行存储器快上数十倍到数百倍之多,由于内部构造较为简单,理论上未来微缩制程也有较大发展空间。其中MRAM采用磁阻效应(Magnetoresistance)技术,研发业者有SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)。ReRAM则靠着绝缘体的电阻变化,区别0和1,外界认为或许能取代NAND型快闪存储器(NAND Flash)。

日经新闻2014年1月1日报导,东芝(Toshiba)将携手南韩海力士(SK Hynix)预定2016年度量产大幅提高智能手机性能的下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”,量产时间将比美国美光科技(Micron Technology)所计画的 2018 年提前了约2年时间。

MRAM 研发可分为三大阵营,除了上述的东芝/SK海力士之外,三星电子也正进行研发,而美光则和东京威力科创(Tokyo Electron)等20家以上日美半导体相关企业进行合作,希望于2016年度确立MRAM的量产技术、之后并计划 2018年透过美光子公司尔必达(Elpida)的广岛工厂进行量产。

Market Realist去年4月28日报导,美光科技(Micron Technology)和Sony在国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits Conference)上表示,正透过27纳米制程,开发16-Gbit的ReRAM;Sony预定2015年量产ReRAM晶片。专家表示,三星 (Samsung)应该也在研发包括ReRAM的下一代储存科技。

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电晶体? 存储器? 东芝? SK海力士?

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