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Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗

Fairchild?? 2015年06月17日 ?? 收藏1
2015年6月15日,高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗,降幅达30%。Fairchild采用工业和汽车市场中专为高/中速开关应用设计的新方案,提供了行业领先的性能水平,同时具有极强的闩锁效应,确保了优异牢固性和可靠性。Fairchild将在2015 亚洲PCIM中演示各种应用的测试结果和方案。

高级IHS分析师Victoria Fodale说道:“制造商对于更先进技术的IGBT非常感兴趣,因为哪怕是IGBT开关损耗的微小下降也可帮助制造商提高产品效率。最大限度降低功率损耗必然是各种应用领域达到最高效率的关键因素,包括电动汽车、太阳能系统、高效HVAC应用以及工业变频器。”

Fairchild采用先进的高密度孔距、自平衡晶胞结构以及新的自对齐接触技术,在整个工作温度范围-40o C至175o C之间达到超高电流密度和卓越的动态开关性能。新设计使第四代IGBT具备极低的饱和电压(Vce(sat) = ~ 1.65V)和低开关损耗(Eoff = 5μJ/A)的权衡特性,帮助客户提高系统效率。Fairchild还与新一代产品一同提供了功能强大的设计和仿真基础结构套件,并针对所有低/高电压功率器件进行了校准。

Fairchild的Thomas Neyer说:“Fairchild的新方案包括通过超细单元栅距设计实现的超高电子注入效率以及受新缓冲器结构限制的空穴载流子的注入。这些优势显著提高性能,我们的IGBT让Fairchild 能够为制造商提供新的高效大功率控制解决方案。”

在6月25日周四12:30至14:00于上海世博展览馆的Floyer房间和会议中心,我们将在海报演示环节中介绍两个关于IGBT的论文。

《具有高性能和加强免闭锁功能的第四代场截止IGBT》(演讲人:Kevin Lee)

《在感性负载开关的低电流关断瞬间,关于场截止IGBT (FS IGBT) VCE斜率的研究》 (演讲人:Rafael Lim)

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IGBT损耗?

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