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赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高性能同步SRAM

赛普拉斯?? 2015年05月29日 ?? 收藏0
赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高性能同步SRAM,确保卓越的可靠性.36Mb 同步SRAM拥有业界最低的软错误率;低功耗运行,与现有器件管脚兼容.

静态随机存取存储器(SRAM)市场领导者赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出业界最高容量的其具有片上错误校正码(ECC)的同步SRAM。新的36Mb同步SRAM集成了ECC功能,使之可以提供最高水平的数据可靠性,简化多种军用、通讯和数据处理应用的设计。赛普拉斯今年计划扩充具备ECC功能的同步SRAM产品线,增加其他容量的产品。

赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高性能同步SRAM
赛普拉斯推出具备片上错误校正码的高性能同步SRAM

由背景辐射引起的软错误可损坏存储器中的内容,造成重要数据的遗失。赛普拉斯新型同步SRAM系列中的硬件ECC模块可在线执行所有的错误校正功能,而无需用户干预,能达到业界最佳的软错误率(SER)性能。这些具有ECC功能的同步SRAM器件与现有的同步SRAM管脚兼容,客户无需改变电路板设计,即可提高SER和系统可靠性。此外,新款 SRAM与竞争方案相比,还可降低多达36%的功耗。

赛普拉斯同步SRAM业务部总监Oliver Pohland指出:“赛普拉斯是全球同步SRAM的领导者。具有片上ECC功能的这一新系列器件履行了我们扩充标准同步、NoBL和QDR SRAM产品的承诺。与我们整个SRAM产品线一样,这些新器件都源自赛普拉斯业界最佳的制造能力,并享有最好的客户支持。”

供货情况

新款36Mb同步SRAM的工业温度范围产品现已供货,封装方式为符合RoHS标准的100-pin TQFP 和165-ball BGA。

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