EDN China > 产品新闻 > 模拟设计 > 运放与功放 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

ADI推出SPDT开关为测试测量应用提供快速建立时间

ADI?? 2015年05月28日 ?? 收藏0
Analog Devices, Inc.(ADI)日前推出了一款专门用于9 KHz至13 GHz频段的吸收式单刀双掷(SPDT)开关HMC1118LP3DE,它具有48dB的高隔离度,在8 GHz条件下运行时仅有0.6dB的低插入损耗。 HMC1118LP3DE是ADI公司的新型RF和微波控制产品组合中的第一款产品,展现了硅工艺技术的固有优势,与传统的GaAs(砷化镓)RF 开关相比具有重大明显优势。 这些优势包括:建立时间比GaAs快100倍;提供强大的ESD(静电放电)保护(达到2000V,而GaAs仅为250V);能够扩展开关的低频端,比GaAs低1000倍,同时保持高线性度。

图1 系统的总体框图

HMC1118LP3DE还提供4W的业界领先RF功率处理能力,在热切换工作模式下达到0.5W。 它的热切换功率处理能力超出了具有相同RF带宽的竞争器件的两倍,这使工程师能够在他们的应用和系统中提高RF功率,而不会产生器件损坏的风险。 HMC1118LP3DE专为高隔离度进行了优化,在最大13 GHz的宽工作频率范围内提供极其平坦的传递特性,同时保持最低9kHz的高信号保真度。 这些特性组合在一起,使得该开关非常适合要求苛刻的测试和测量、自动化测试设备、国防电子产品、无线通信应用,充当传统 GaAs开关的更低成本替代产品。

HMC1118LP3DE SPDT开关的主要特性

非反射式50欧姆设计

正控制:0/+3.3 V

低插入损耗: 0.68dB(8GHz时)

高隔离度: 50dB(8GHz时)

9KHz的低截止频率

7.5微秒的快速建立时间(对于0.05 dB的最终RF输出电平)

业界领先的高功率处理能力:

35.5 dBm的通过路径

27 dBm端接路径和热切换应用

高线性度:

P1dB: +37 dBm(典型值)

IIP3: +61 dBm(典型值)

ESD额定值: 2-KV HBM

《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

开关?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈