EDN China > 产品新闻 > 嵌入式系统 > 存储器 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

赛普拉斯推出业界首款4Mb 串行F-RAM

赛普拉斯?? 2015年05月06日 ?? 收藏0
赛普拉斯半导体公司日前宣布,推出一系列4Mb串行铁电随机存取存储器(F-RAM),这是业界容量最大的串行F-RAM。该款4Mb串行F-RAM拥有40-Mhz串行外设接口(SPI),工作电压范围是2.0至3.6V,采用业界标准的符合RoHS标准的封装方式。赛普拉斯所有的F-RAM均可提供100万亿次的读写寿命,85?C温度下的数据保存时间可达十年,65?C下则长达151年。

对于需要连续频繁高速数据读写,并要求保证数据的绝对安全性的应用而言,赛普拉斯的F-RAM是理想选择。这一4Mb串行F-RAM系列符合关键任务应用的需要,例如工业控制和自动化、工业计量、多功能打印机、测试和测量设备,以及可穿戴医疗等。

赛普拉斯非易失性产品事业部副总裁Rainer Hoehler指出:“关键任务系统要求高性能存储器能够在掉电瞬间可靠地捕获数据。赛普拉斯的4Mb F-RAM系列是业界最高容量的串行F-RAM器件,可提供绝对的数据安全性。”

供货情况

4Mb串行F-RAM目前正在出样,采用业界标准的8EIAJ 和 8TDFN封装方式。预计2015年第四季度量产。

《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈