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TI电源产品火力全开,专注高效、高功率密度、高集成度方向

老墨?? 2015年04月08日 ?? 收藏0
2015年已过去四分之一,对于习惯盘点的人来说,可以小小总结一下了。在这一季度,TI主要发布了三大系列、共计五款电源产品,既包括DC/DC转换器、数字电源及相关软件工具,更有TI酝酿了七年之久的GaN 产品。这次的阶段性总结,就来看看TI在电源产品领域的最新进展。

充分发挥GaN的最大潜能

与硅晶体管相比,GaN器件本身所需的驱动电流非常小,能非常迅速地把整个器件开通或关断,这意味着可以减小损耗,在同样的条件下,比基于硅材料的解决方案效率更高。

据TI非隔离电源全球市场总监James MacDonald透露,TI在GaN FET驱动及相关应用领域已经耕耘了七年,NS在加入TI之前也在这一领域投入了诸多的精力。经过很多次的可靠性实验和效率实验,TI已经对GaN进行了超百万小时的加速测试,因此自信满满地正式宣布了业内首款80V、10A集成GaN FET功率级原型机LMG5200。

通常情况下,使用GaN FET在高频下进行开关的设计人员必须谨慎对待电路板布局布线,以避免振铃和电磁干扰。LMG5200双80V功率级原型机极大地简化了这个问题,同时又通过减少关键栅极驱动回路中的封装寄生电感增加了功率级效率。其特色在于运用了高级多芯片封装技术,在优化后还能够支持频率高达5MHz的电源转换拓扑结构。随着这款全集成式原型机的推出,工程师们能够轻松地将GaN技术融入到电源解决方案中,从而进一步突破了对常规功率密度预期的限值。

未来,GaN将在电源密集的应用中找到用武之地。因为它能够在保持或提升效率的同时,使电源更小巧。这项技术能够改变插入到墙上电源插座中的任何设备,例如个人电脑适配器、音频和视频接收器以及数字电视等。插墙式适配器占用了大量的空间,并且不太雅观,而它们因发热所浪费的电量也不可小视,GaN可以在很大程度上缓解这些问题。

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