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Synopsys推出全新DesignWare中等容量非易失性存储器

Synopsys?? 2015年03月03日 ?? 收藏0
Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器(NVM)IP使芯片成本降低多达25%,作为嵌入式闪存的替代方案,该NVM IP无需额外光罩和附加工艺步骤。

2015年2月--亮点:

可重复编程的DesignWare中等容量非易失性存储器(NVM)IP提供与闪存相同的功能,无需额外的光罩或工艺步骤,从而将芯片成本降低多达25%;

提供最高64Kbyte容量的嵌入式存储器;与小容量NVM方案比密度提高5倍;

使微控制器可以在180nm 5V或BCD工艺上集成NVM,而通常这些工艺上没有闪存提供;

集成误码校正功能从而提高系统可靠性;

为加速芯片和电子系统创新而提供软件、知识产权(IP)及服务的全球领先供应商新思科技公司日前宣布:其全新DesignWare?中等容量非易失性存储器(NVM)IP产品开始供货。Medium Density NVM IP填补了小容量NVM和大容量闪存之间的空白,且无需额外的光罩或工艺步骤,从而使芯片成本降低多达25%。在把微控制器集成到面向智能传感器、电源管理和触摸屏控制器应用的模拟IC设计中时,中等容量NVM IP提供最高64 Kbyte的嵌入式存储,消除了对外部EEPROM或闪存的需求。

“今天,那些试图把微控制器嵌入到其IC中的开发者们被迫支付昂贵的晶圆费用以支持嵌入式闪存,或者使用分立的外部存储器,而这两种方式都是代价高昂的方案,”Semico Research Corp.高级市场分析师Richard Wawrzyniak说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP填补了小容量非易失性存储器和大容量嵌入式闪存之间的空白,对于那些寻求在不增加额外成本而增加数千byte非易失性存储器的开发者而言,Synopsys的DesignWare中等容量 NVM IP是一个理想的选择。”

DesignWare中等容量NVM IP产品为5V CMOS和BCD工艺技术带来了闪存功能。误码校正(ECC)功能提供了额外的系统可靠性,同时减少了集成工作量。与小容量NVM方案相比,这款NVM IP密度提升5 倍;同时还提供了40纳秒的读取时间,可提供快速的读取时间和实时计算。通过在Synopsys实验室内完成的验证,包括严格的性能测试、认证和可靠性测试,该NVM IP可支持-40℃~125℃的温度范围,数据可保存10年。

“随着把微控制器集成到模拟IC之中而需要数量越来越多的存储器,设计业者需要成本更低的存储器解决方案,同时不牺牲功能,”Synopsys IP和系统原型市场副总裁John Koeter说道。“Synopsys的DesignWare中等容量NVM IP为设计业者提供比闪存成本更低的方案,同时提供了所有必需的功能,来帮助他们以更小风险把NVM集成到系统级芯片(SoC)之中。”

供货

使用台积电(TSMC)180纳米5V CMOS和BCD工艺技术的DesignWare中等容量NVM IP现已对早期采用者供货。

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非易失性存储器? Synopsys?

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