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Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器

Microchip?? 2015年02月13日 ?? 收藏0
全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)发布SST26WF080B 和 SST26WF040B新器件,扩展其1.8V Serial Quad I/O(SQI)SuperFlash系列存储器。新器件备有4 Mb和8 Mb两种存储容量,采用Microchip高性能SuperFlash技术制造,可提供业界最快的擦除时间和卓越的可靠性。

Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器
Microchip推出4 Mb和8 Mb 1.8V低功耗存储器

由于采用了SuperFlash技术,SST26WF080B/040B新器件的擦除速度比其他同类器件都要快。扇区和块擦除命令在短短18毫秒内即可完成,执行整个芯片的擦除操作也只需要35毫秒;而同类器件一般需要5-15秒的时间来完成整个芯片的擦除操作。显然,SST26WF080B/040B的擦除速度要快300倍左右。由于最大限度地减少了测试和固件更新所需的时间,新器件极其快速的擦除性能可为客户显著节约成本并大幅提高产能。

新器件的SQI接口是一个104 MHz的高速四I/O串行接口,即使是低引脚数封装也可实现高数据吞吐量。该接口支持低延迟就地执行(execute-in-place,XIP)功能,使得程序可以直接在闪存内存储和执行而无需在RAM器件上进行代码映射。与x16并行闪存器件相比,SST26WF080B/040B的数据吞吐速度更快,又不存在并行闪存有关的高成本和高引脚数。此外,该SQI接口还提供完整的命令集,可向后兼容传统的串行外设接口(SPI)协议。

SST26WF080B/040B专为低功耗设计,有助于最大限度地延长便携式供电应用中电池的寿命。新器件在待机模式下的典型电流消耗仅为10 μA,而深度掉电模式下的典型电流消耗更进一步降至1.8 μA。104 MHz时其典型主动读取电流为15 mA。1.8V低功耗操作与小尺寸封装相结合,无疑令SST26WF080B/040B成为诸如手机、蓝牙?耳机、GPS、摄像头模块、助听器和其他电池供电设备等各种应用的最佳选择。

SST26WF080B/040B拥有卓越的品质和可靠性,数据保存时间长达100年,且可擦/写次数超过10万次,耐用性极高。此外,其安全性也得到进一步增强,包括针对各独立块的软件写保护以便灵活保护数据/代码安全以及一个一次性可编程(OTP)的2 KB安全ID区域。这些特性有助防止未经授权的访问以及其他恶意读取、编程和擦除的企图。同时,该器件还具有一个符合JEDEC标准的串行闪存可发现参数(SFDP)表,其中包含了有关SST26WF080B/040B功能和性能的标识信息,从而简化软件设计。

Microchip存储产品部副总裁Randy Drwinga表示:“我们1.8V低功耗Serial Quad I/O产品线新增的SST26WF080B/040B SuperFlash器件为客户带来了业界擦除速度最快的高速闪存这一出众的解决方案。凭借小尺寸和低功耗的特性,新器件可谓是包括物联网应用在内的新一代采用电池供电的便携嵌入式设计的理想选择。”

供货

SST26WF080B/040B器件采用8触点6 mm x 5 mm WSON封装、8引脚150 mil SOIC封装、8触点2 mm x 3 mm USON封装以及8球Z-Scale XFBGA封装,现已开始提供样片并投入量产,以10,000片起批量供应。

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