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14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕

EDNC?? 2015年01月14日 ?? 收藏1
14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺,14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。

全球代工的战火再起,由之前的28nm向16nm/14nmFinFET工艺延伸。28nm制程可以认为是半导体业的拐点。因为一直以来依尺寸缩小所推动产业进步至此发生巨大的变化,通常每两年前进一个工艺节点,减少制造成本约50%的节奏,到了28nm以下开始减缓,部分情况下成本反而会有所上升。反映到产业层面,企业向更小尺寸迈进的动力己不如从前。许多顶级的IDM大厂,从28nm开始执行轻资产策略(fablite),拥抱代工。这导致全球代工厂如日中天。

特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。全球代工第一阵营中,原先有台积电、联电及格罗方德(Globalfoundries),现在IDM超级大厂三星及英特尔也加入代工行列,导致代工第一阵营中的争斗形势呈现复杂化。

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14nm FinFET工艺? 28nm制程? 晶圆? AMD?

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