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IR推出采用高性能4×5PQFN功率模块封装的25V双功率MOSFET

IR?? 2014年12月18日 ?? 收藏0
IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET,为DC-DC应用提供高密度紧凑型解决方案.

2014年12月16日,功率半导体和管理方案厂商国际整流器公司推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能,使其可用于更低功率的紧凑型设计,适合12V输入DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。

IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET
IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET

IRFH4257D采用IR的新一代硅技术和封装专利技术,以紧凑的4×5功率模块提供卓越的热性能、低导通电阻 (RDS(on)) 和栅极电荷 (Qg) ,带来一流的功率密度和更低的开关损耗。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“与IR的其它FastIRFET器件一样,IRFH4257D可与各种控制器或驱动器共同操作,为单相位或多相位应用提供灵活的设计,同时实现更高的电流、效率和频率。随着 IRFH4257D加入IR的功率模块系列,设计师可选择能满足其设计要求的 4×5或5×6 PQFN封装。”

IRFH4257D符合工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准,所采用的物料清单环保、不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET
IR 推出采用4×5 PQFN功率模块封装的25V IRFH4257D FastIRFET双功率MOSFET

产品现正接受批量订单。

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双功率MOSFET? IRFH4257D? IR?

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