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(多图) PI InnoSwitch IC:更高效率更少元件,满足充电器适配器应用新趋势

Evan Li?? EDNC?? 2014年11月11日 ?? 收藏0
随着新技术的出现,目前的电源功率密度较传统的电源功率密度已经增大了不止一倍。然而,智能手机、平板电脑等电子设备在应用需求上的追求似乎是“永无止境”的,因而出现了“功率密度没有最高只有更高”这样的“标语”。同时,能效要求的不断提升;更高电流额定值的需求也驱动着开关电源、电源适配器、充电器等产品需要更佳的解决方案。

总部位于美国硅谷的Power Integrations(PI)公司,是一家致力于提供用于高压电源转换系统的高性能电子元器件的供应商,其聚焦领域不仅涵盖消费、PC、通信,还涉及照明、电动汽车、工业控制和新能源系统等等诸多应用。

今日,Power Integrations发布一类全新的电源IC——InnoSwitch系列高集成度开关IC,为开关电源设计带来革命性变化。采用InnoSwitch IC,电子工程设计师可以轻松超越全球所有的效率和空载功耗标准,±3%恒压、±5%恒流、最高24W的输出功率。

InnoSwitch 电源IC具有较高的工作效率,即时瞬态响应,空载功耗<10 mW,满足美国DoE 6及欧盟CoC V5标准;具有低纹波、高精度恒压和恒流,高功率密度。其性能高度满足智能移动设备充电器和适配器应用,除此之外,也适合于机顶盒、通信网络设备和计算机外设等应用。

FluxLink技术,集成次级侧调节(SSR)

InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔离通讯技术,InnoSwitch同时集成了初级开关和次级开关电路,不仅能减少元件数、省去低速且不可靠的光耦器以及性能优于初级侧控制器,而且还能大幅降低制造成本。
InnoSwitch IC采用新的FluxLink安全隔离通讯技术,InnoSwitch同时集成了初级开关和次级开关电路,不仅能减少元件数、省去低速且不可靠的光耦器以及性能优于初级侧控制器,而且还能大幅降低制造成本。

这项专有的新型反馈技术无需庞大的光耦器即可实现精确控制,同时还能避免初级侧调节(PSR)固有的性能缺陷,如精确度和效率有限以及相对于空载功耗瞬态响应较慢。

InnoSwitch 集成次级侧调节(SSR),带有HiPot隔离保护的集成反馈通讯链路,集成了650 V MOSFET和SR控制器,集成的SR驱动省去了昂贵的肖特基二极管。

另外,与初级侧调节开关IC相比,这种基于InnoSwitch的次级侧调节(SSR)设计对变压器、二极管、电阻和电容等外围元件的容差具有较低敏感度。

PI推出InnoSwitch系列开关IC
FluxLink技术,通过UL1577/TUV 60950 CB全球认证,经认证符合CQC中国5000米海拔要求,爬电距离达9.65 mm。可轻松实现宽松的布局,满足HiPot和24 kV ESD要求。

PI推出InnoSwitch系列开关IC

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开关IC? 开关电源设计? InnoSwitch? 功率密度?

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