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东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”

东芝(Toshiba)?? 2014年09月24日 ?? 收藏0
2014年9月23日–日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”。由环球资源Global Sources旗下领先行业媒体《电子工程专辑》、《国际电子商情》及《电子技术设计》共同颁发的“2014中国年度电子成就奖”(The China Annual Creativity in Electronics Awards 2014)颁奖典礼于9月2日在“第十九届IIC-China”(IIC-China研讨会暨展览会)期间举办。

东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”
东芝超级结MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”

超级结MOSFET

东芝在电源AC-DC转换中使用的高压MOSFET(HV-MOSFET)方面开发出超级结MOSFET,称此结构为Deep Trench MOSFET(DT-MOS)。目前东芝正在扩充第四代产品,与前三代开发出的DT-MOS制造工艺有所不同,从多层外延(Multi-Epi)到单层外延(Single Epi)可以说是一个很大的改变。由于制造工艺的难度很大,如今采用单层外延构造的生产厂家逐渐减少,而东芝至今在单层外延型构造方面仍进行着积极的开发。

由于采用单层外延构造,可实现FET的细微化,而且在纵向上控制了不纯物浓度,从而实现了高压和低导通电阻的并存。与多层外延相比,可将高温下的Ron变化控制在最小范围。随着开关噪声的低EMC等需求增加,东芝还准备了控制开关速度dv/dt降低噪声Qgs=110nC的DTMOSⅣ和追求高速开关特性Qgs=85nC的低容量型DT-MOSⅣ-H这两种工艺来满足客户的需求。

东芝超级结MOSFET
东芝超级结MOSFET

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超级结MOSFET? 存储? 电源?

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