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旺宏存储器涵盖全系列规格,在汽车电子有很大提升空间

Franklin Zhao?? 2014年09月12日 ?? 收藏0
日前,在国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2014)上,旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬(图1)于汽车电子论坛发表了演讲。他指出,在非易失性存储器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。

图1:旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬。
图1:旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬。

据介绍,旺宏电子是一家领先的NVM解决方案供应商。该公司于1989年在台湾新竹成立,迄今已有25年时间;目前共有5531项专利,4693名员工(19%为研发设计人员),去年营收为7.4亿美元。旺宏主要NVM产品包括ROM、NOR闪存和NAND闪存三大类。

去年,该公司NOR闪存的市占率达到了15.1%(今年可达18%),串行NOR闪存为29.4%,传统的ROM产品(主要应用在游戏机上)为90%。去年的出货量达16.8亿,主要的增长来自智能手机和汽车电子。消费类电子仍是旺宏的重头市场领域,汽车电子和工业电子还有很大的提升空间。

目前,旺宏主要是和领先的芯片组提供商和系统提供商在做紧密合作,这样可以在前期了解到最新规范的制定,从而将其设计到产品中间。

2009年,旺宏CEO兼董事长吴敏求在公司内部提出要向汽车电子领域拓展,希望将最好品质的产品提供给汽车方面的客户。旺宏于2004年通过了TS16949规范,同时也是AEC的成员。目前其产品都是符合AEC-Q100规格的产品,并且力求做到零缺陷率。旺宏在全球多个国家和地区都有设点,这对于解决汽车电子问题非常有益。另外,旺宏汽车电子芯片组在导航、DAB模块、音频及高清射频、仪表盘、ADAS、信息娱乐、后视摄像头等方面都得到了认证(图2)。

图2:旺宏汽车电子芯片组认证。
图2:旺宏汽车电子芯片组认证。

在路线图方面,旺宏NOR闪存目前的工艺为55nm,并将在2017年转移到42nm;在2017年,SLC NAND闪存的工艺也将由目前的36nm转变到2xnm。

谢总告诉笔者,旺宏全系列闪存产品的电压规格涵盖5V、3.3V、2.5V和1.8V;串行NOR闪存容量从1Mb到1Gb(电压规格为3.3V、1.8V),并行NOR闪存的容量从8Mb到1Gb(今后也将有2Gb~8Gb的产品,电压主要为3.3V),NAND的容量范围则为512Mb~8Gb(图3)。另外,产品的温度范围可达-40℃~125℃。

图3:旺宏并行和串行闪存系列,提供USON、WLCSP等极小封装,并可提供裸晶KGD与芯片组搭配。
图3:旺宏并行和串行闪存系列,提供USON、WLCSP等极小封装,并可提供裸晶KGD与芯片组搭配。

在半导体技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,目前业界在研发的替代性技术主要有电荷捕获型(Charge Trapping)存储器、相变存储器(PCM)和ReRAM(可变电阻式存储器)三种。旺宏在三种技术上都有研发,该公司垂直栅极(VG) 3D NAND技术被称为BE-SONOS(带隙加工硅氧氮氧硅),目前已有研发出512Mb MLC规格的产品,并且在三年之内有望量产。ReRAM技术,其好处是速度快、功耗低,适合于物联网/可穿戴应用。PCM技术,它可以实现非常小的PCM单元,具有低延迟、高耐受特性。

与消费类电子不同,汽车电子对可靠性要求很高,旺宏会对用于汽车电子用存储器的多道生产工艺进行严格控制,确保为汽车电子提供最好的产品。同时,在客户产品出现问题时,为客户提供最快速的服务也非常重要。另外,旺宏开发的用于工程数据分析的sNOVA智能系统,可以在产品出问题的时候快速排查出问题所在。

最后,谢总补充说,旺宏有自己的工厂,可以做产品的演进,并保证长期的供货。同时,在可靠性测试方面,由于有自己的工厂,旺宏不像其他设计公司那样通过代工厂来做,而是自己做测试。旺宏最早的客户主要在日本,在尼康和佳能单反相机中,该公司产品的市占率大约在一半左右。因此,在品质的保证上,旺宏非常有信心。

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