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赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池

赛普拉斯?? 2014年09月03日 ?? 收藏0
嵌入式非易失性存储器解决方案的领先供应商赛普拉斯半导体公司,与中国最先进的专业晶圆代工厂上海华力微电子公司(HLMC)日前共同宣布,双方基于赛普拉斯55纳米工艺节点的SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式闪存技术的知识产权(IP),开发出可工作的硅光电池。这些硅光电池是为智能卡和物联网应用而设计。赛普拉斯的SONOS能带来较低的晶圆和裸片成本,以及无与伦比的用于未来深入开发的可扩展性。这一技术和设计IP将于2015年下半年提供给HLMC的大批量投产的客户。

HLMC于2014年1月获得了赛普拉斯55纳米SONOS嵌入式非易失性存储器(NVM)的工艺授权许可。该技术与其他嵌入式NVM方案相比具有显著的优势。为了插入标准的CMOS工艺,SONOS只需三层掩膜,而其他的嵌入式闪存技术则需要另外的9到12层。掩膜数量的减少意味着更低的制造成本。当加入到CMOS工艺之后,SONOS并不改变标准的器件特性或模式,因而能保护已有的IP。SONOS具有与生俱来的高良率和业界最佳的可靠性,10年的数据保存期,10万次编程、擦除寿命,以及对软错误的强大容错性能。赛普拉斯已成功展示了将SONOS扩展至40纳米和28纳米节点的能力,从而加速了未来IP的开发进程。

HLMC副总裁Jack Qi Shu说:“我们很高兴能用赛普拉斯的55纳米SONOS技术实现这一里程碑式的突破。这将为我们的客户带来显著的价值。SONOS是一项性价比很高的工艺,能实现很高的良率。其可靠性和效率对于批量很大的互联网和智能卡应用而言非常重要。”

赛普拉斯技术与知识产权事业部副总裁Sam Geha说:“我们与HLMC一起用SONOS技术实现55纳米硅光电池,充分证明了这一技术的可扩展性和设计便利性,以及HLMC在制造领域的专长。SONOS的低成本、高性能和可靠性对于快速成长的智能卡、物联网市场、银行卡、可穿戴电子设备和其他逻辑主导的产品而言,是非常理想的选择。赛普拉斯将和HLMC这样的市场领先者精诚合作,使SONOS成为业界嵌入式非易失性存储器平台的首选。”

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