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(多图) LVPECL终端的设计考虑因素

IDT 定时与同步部门高级应用工程师?? Phillip Wissell?? 2014年08月12日 ?? 收藏0

发射极电流控制

T 终端提供比 Thévenin 终端更好的发射极电流控制。Thévenin 终端通过向终端产生的 VTT 电压前馈 Vcco 变化率α来稳定电流。相反,T 终端通过检测穿越发射极电阻器的发射极电流使用负反馈,只能用作单一的发射极跟随器。

可按下图 6所示为每个终端构建每一个 Vcco 变化的电路,来说明这种性能方面的变化。对于每一个终端,电路从 Vcco 开始,穿过相应输出晶体管的基极-发射极结 Rg,然后穿过终端,Rg 在此被转入发射极电流通路。为简单起见,基极扩展电阻已被并入增益设置电阻 Rg。由于有两个偏压串,Thévenin Icco 为总电流的一半。

图6 Thévenin 和 T 终端发射极电流控制电路
图6 Thévenin 和 T 终端发射极电流控制电路

可从图 8 立即写下每个电路的传递函数。在每个传递函数中,re 术语均已被弃用;与 Rg 和 Zo 相比,它相对较小。此外,re 规模小意味着 T 终端的逻辑 1 晶体管和逻辑 0 晶体管的等效半电路是相同的。

由于 Rg 和 β的值取决于特定 LVPECL 驱动器的内部设计和处理,以下列“案例研究”章节为预期,当 VCCO = 3.3V 和 RTT=77 ohms 时,这两个传递函数是相对下图 8 中的 Rg/(β+1) 而设计的。

图7 发射极电流中适应 Vcco 变化的 Thévenin 和 T 终端变化
图7 发射极电流中适应 Vcco 变化的 Thévenin 和 T 终端变化

比方说,如果 Rg/(β+1) = 0,则 β值很大,而 Rg 值小(图 1 中的 Ibias 高)。在这种限定条件下,传递函数只取决于外部电阻器。更实际一点,如果 Ibias = 0.5mA,Rg= 1.6 kohms,β=100,则 Rg/(β+1) ≈ 16。

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LVPECL终端? LVPECL驱动器? 低压正射极耦合逻辑?

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