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(多图) 一种新型无运放CMOS带隙基准电路

/?? 2014年07月24日 ?? 收藏0
1 引言

几乎所有的模拟电路都需要稳定的电压源。电压源的温度系数。抗噪声能力直接影响着电路的性能与精度。带隙基准因为较低的温度系数,与电源和工艺的相对无关性,与CMOS工艺较好的兼容性等,得到了广泛应用。

首先阐述了带隙基准的基本原理,然后介绍了常规的带隙基准结构。在此基础上,提出了一种新型带隙基准电路。该电路结构简单,具有较低的温度系数和较高的电源抑制比。

2 带隙基准的基本原理

带隙基准产生基准电压源,如(1)式所示,是利用双极晶体管基极-发射极电压VBE得到的具有负温度系数的电压和利用热电势VT得到的正温度系数电压的倍数相加,得到与温度无关的基准电压源。热电势VT的关系式通常用两个相同晶体管的VBE差值产生。

VREF = VBE+KVT (1)

(1)式两边分别对温度求导,并将温度系数置零,得到:

当VT为零时,VREF 等于硅的带隙电压Eg/q,故称为带隙基准电压。

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带隙基准电路? 无运放基准源? 启动电路?

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