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适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列

EDNC?? 2014年03月14日 ?? 收藏0
ROHM 集团旗下的LAPIS Semiconductor,作为高可靠性 DRAM 系列产品,新开发出搭载输出驱动能力调节功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI 搭载了4 级输出驱动能力调节功能,可根据用户系统调节电流驱动能力,降低辐射噪声,从而可减少噪声对策零部件与阻尼电阻元件的数量。另外,引线框架采用焊接连接可靠性更高的铜(Cu)框架,因此,还非常适用于车载设备等要求高可靠性的用途。本产

品的样品已经在售,计划从2014 年3 月份开始以月产100 万个的规模开始量产销售。

<背景>

在中小容量SDRAM 的用途之一车载设备系统中,工作时发生的辐射噪声会对高频段等产生影响,因此,对于提升系统品质来说,降低辐射噪声成为重要课题。LAPIS Semiconductor 着眼于该课题,为降低SDRAM 工作时产生的辐射噪声,改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性,早在以往产品16M bit /64M bit SDRAM 上就开始搭载按3级改变读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。

该功能在车载领域获得极高好评,为扩大在需要更大容量SDRAM 的用途中的应用范围,LAPIS Semiconductor 开发了128M bit 、256M bit SDRAM。另外,DRAM 的主流产品逐渐向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM 发展,中小容量SDRAM 的供应越来越不稳定。LAPIS Semiconductor 将中小容量的SDRAM 定位为传统DRAM 注1,作为唯一可长期供货的日本国内制造商,不仅面向车载用途市场,而且面向更广阔的工业设备市场,正在不断完善产品的产品阵容。

适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列
适用于车载、工业设备的高可靠性DRAM系列

<新产品详情>

1.搭载输出驱动能力调节功能

为降低SDRAM 工作时产生的辐射噪声,改善阻抗匹配的读取数据输出波形的特性,搭载变更读取数据输出时的电流驱动能力的输出驱动能力调节功能。通过扩展模式寄存器配置可设定4 级驱动能力。本功能有助于实现适合用户系统的电流驱动能力优化、降低辐射噪声、减少辐射噪声对策零部件数量。另外,可按出货时固定规格的驱动能力设定供货,即使使用已有的SDRAM控制器无需配置扩展模式寄存器,即可使用最佳的输出驱动能力设定的产品。

2.采用铜引线框架

为满足车载设备领域的与PCB 板之间的高可靠性焊接连接性的要求,本产品采用连接可靠性优异的铜(Cu)引线框架。与以往的42 合金引线框架相比,其与PCB 板的热膨胀系数更相近,因此,提高了焊接连接可靠性,满足了汽车厂家要求的PCB 板贴装状态下的热膨胀循环标准。另外,还同时抑制了锡晶须不良的发生。

3.满足车载品质

为实现高品质,支持定制符合客户要求品质的测试工序。

4.芯片销售遵循KGD(Known Good Die)保证

从晶圆级保证与封装产品同等的品质,通过与客户的使用方法相匹配的测试工序,提供高品质的芯片产品。

LAPIS Semiconductor 今后也会以不断推出客户放心使用的高可靠性SDRAM 产品并长期稳定供应为目标,进一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2,不断扩充传统DRAM 注1产品的阵容。

【销售计划】

产品名 :MD56V72160C / MD56V82160A

包装形态 :托盘1080 个

样品出售时间 :样品出售中

样品价格(参考):MD56V72160C 360 日元(不含税)

MD56V82160A 520 日元(不含税)

量产出售计划 :2014 年3 月开始

【产品概要/特点】

规格 :满足JEDEC 标准规格

存储器结构 :4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C), 4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

地址大小 :4,096 行 × 512 列(MD56V72160C);8,192 行 × 512 列(MD56V82160A)

工作频率 :166MHz(max.)

接口 :LVTTL 兼容

功能 :通用SDRAM 指令接口

电源电压 :3.3V±0.3V

工作温度范围 :0℃ ~ +70℃ / -40℃ ~ +85℃

刷新 :自动刷新时 4,096 次/64msec(MD56V72160C),8,192 次/64msec(MD56V82160A)

自刷新

消耗电流(Typ.) :工作时(166MHz) 100mA (MD56V72160C),150mA (MD56V82160A);待机时(动态待机时) 50mA (MD56V72160C),65mA (MD56V82160A);关机时 3mA

封装 :54Pin TSOP,铜引线框架、满足RoHS 指令、无铅、无卤

【术语解说】

注1 传统DRAM

DRAM 市场随着电脑和手机的高性能化发展,主流产品逐渐转变为大容量、高速DRAM,中小容量DRAM的供应厂家日益减少。然而,消费电子设备和车载设备等产品中,从噪声设计角度等出发,适用中小容量、中速DRAM 的应用大量存在。另外,通信设备和工业设备等生命周期较长的产品中,从控制器变更等设计变更较难或想控制设计变更费用等角度出发,存在希望继续使用中小容量DRAM 的需求。LAPIS Semiconductor将这些中小容量DRAM 定位为“传统DRAM”,不断开发满足车载市场和工业设备市场需求的高可靠性新产品,以进一步扩充传统DRAM 的产品阵容,为客户提供长期稳定供应。

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DRAM? MD56V72160C? MD56V82160A? ROHM?

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