EDN China > 行业资讯 > 电源技术 > 功率器件 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

ST"无拖尾电流"600V IGBT突破功率设计限制

意法半导体?? 2013年12月30日 ?? 收藏0
意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT 具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8V,最大工作结温高达175°C,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI) 设计。

通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性,意法半导体的新器件提高了开关能效与最大开关频率。新产品的裸片非常薄,这有助于提高开关和散热性能。意法半导体独有的优化的沟栅式(trench-gate)场截止型(field-stop)工艺降低了热阻,最高结温高达175°C,同时实现了对饱和电压等参数的严格控制,允许多个IGBT安全并联,提高电流密度和通态能效。

全新的IGBT非常稳定,具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复(soft-recovery)二极管可最大限度降低导通能耗。针对成本更敏感的应用,意法半导体还推出了可无二极管的型号供选择。

意法半导体的20A至80A V系列IGBT现已投产,采用TO-3P、TO-3PF、TO-220、TO-220FP、TO-247或D2PAK封装。

《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载


?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

IGBT? 功率设计? 意法半导体?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈