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Vishay推出业内首款非对称封装双芯片MOSFET

Vishay?? 2013年12月20日 ?? 收藏0
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通过AEC-Q101认证的采用非对称PowerPAK SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载应用,把高效同步DC/DC降压转换器所需的高边和低边MOSFET都组合进小尺寸5mm x 6mm封装里,比使用分立MOSFET的方案节省空间,低边MOSFET的最大导通电阻低至6.4mΩ。

业内首款非对称封装双芯片MOSFET
业内首款非对称封装双芯片MOSFET

今天发布的这些MOSFET是业内首批通过汽车级认证的采用非对称封装的双芯片MOSFET,为降低传导损耗,增大了低边MOSFET的尺寸。器件可在+175℃高温下工作,具有车内任何位置的应用所需的耐用性和可靠性。器件尤其适用于车载通信娱乐系统,例如收音机和GPS系统。

SQJ940EP和SQJ942EP使设计者能够选用不同的导通电阻值。在10V电压下,SQJ940EP的沟道2低边MOSFET的最大导通电阻为6.4mΩ,沟道1高边MOSFET的导通电阻为16mΩ。与双芯片对称方案相比,SQJ940EP的低边导通电阻低31%,而尺寸同样小巧。SQJ942EP在10V下的最大低边导通电阻为11mΩ,高边MOSFET的导通电阻为22mΩ。

这些MOSFET通过了100%的Rg和UIS测试,符合RoHS,无卤素。

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双芯片MOSFET? 转换器? Vishay?

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