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Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET

Vishay?? 2013年12月06日 ?? 收藏0
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT封装尺寸,可用于移动计算,在4.5V下导通电阻低至8.0mΩ

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix Si8851EDB是为在移动计算设备中提高效率和节省空间而设计的,在-4.5V和-2.5V栅极驱动下分别具有8.0mΩ和11.0mΩ的极低导通电阻。

业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET

Si8851EDB把P沟道Gen III技术与MICRO FOOT的无封装CSP技术,以及30pin设计和引脚布局结合在一起,在给定的面积内提供了尽可能低的导通电阻。与最接近的2mm x 2mm x 0.8mm器件相比,Si8851EDB的高度薄50%,在4.5V栅极驱动下的导通电阻几乎只有一半,单位封装尺寸的导通电阻低37%。Si8851EDB的导通电阻接近3.3mm x 3.3mm x 0.8mm的MOSFET,外形尺寸小56%,单位封装尺寸的导通电阻低30%以上。

今天推出的器件高度只有0.4mm,适和在平板电脑、智能手机和笔记本电脑的电源管理应用中用作负载和电池开关。Si8851EDB的低导通电阻使设计者可以在其电路里实现更低的压降,从而更有效地使用电能并延长电池使用寿命,同时其小占位可节省宝贵的PCB空间。Si8851EDB的典型ESD保护达到6kV,有助于保护手持设备避免因静电放电而损坏,同时保证在生产过程能对零组件进行安全的加工处理。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

Si8851EDB是Vishay的MICRO FOOT家族的最新成员。

Si8851EDB现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十六周。

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Gen III MOSFET? 导通电阻? ESD保护? 电池开关?

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