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(多图) TD-LTE发射机系统设计分析

冷爱国?? 2013年11月08日 ?? 收藏0
概述

具有中国自主知识产权的TD-LTE由于其频谱利用率高(下行:5bit/S/Hz;上行:2.5bit/S/Hz);高速率(下行:100Mbps;上行:50Mbps);低延时(100ms控制面,10ms用户面),以及灵活的频谱使用(可变带宽,1.4MHz;3MHz;5MHz,10MHz,15MHz,20MHz)正越来越受到各个运营商的青睐,到2011年2月,由中国移动主导联合7家运营商发起成立TD-LTE全球发展倡议(GTI),已发展至48家运营商成员,27家厂商合作伙伴;目前已经有38个运营商计划部署或正在进行试验。

本文将对TD-LTE的不同架构的发射机系统(包括发射和反馈)的挑战进行分析,最终根据TD-LTE的空口指标要求进行系统指标分解,提供了TD-LTE发射机设计的思路及依据,同时结合TI的方案分析了发射机链路关键器件的指标要求。

1、TD-LTE 发射机架构概要

为了更加深入理解基站发射机系统的系统指标,本节将首先介绍目前在基站系统中常用的几种架构及各自的优缺点,从而根据不同的要求选择不同的发射机架构。

总的来说,对 TD-LTE 而言,目前最大的挑战是带宽, 中国目前有 190MHz(2500-2690)连续带宽分配给TD-LTE,同时还有很多多频段的要求(比如 F+A;1880-1920MHz,2010-2015MHz)频段,等都对发射机,尤其是反馈通道的要求非常高;严格的带外杂散要求,尤其是 F 频段,对发射机系统而言也是非常大的一个挑战,另外,高 EVM,低噪底的需求同样对系统设计是一个挑战。

1.1 零中频发射,零中频反馈

图 1 为零中频发射及零中频反馈的架构图,其中调制器(modulator)的输入频点为零,解调制(demodulator)的输出频点为零,就称为零中频发射和反馈。

该架构在技术上具有非常大的优势:

1) 发射和反馈可以采用同一个本振信号,节约简化了系统设计和成本;

2) 降低了 ADC 及 DAC 的采样率要求,尤其是对于宽带的 TD-LTE 系统,由于 ADC 有出口管制,采用该种架构后,相对于实中频架构,对 ADC 的采样率要求降低了一半;

3) 由于调制器和解调制的输入/输出频点为零,所以系统没有和中频有关的各种杂散信号,大大减少各种滤波器的需求;

4) 对 ADC 和 DAC 而言,其输入/输出频点低,本身的性能也大大提高,从而有利于系统设计;

5) 采用零中频后,可以保证 DPD 信号带内平坦度高,从而利于 DPD 的处理。

目前,越来越多的基站发射机系统已经开始采用这种架构了,但是该架构同样有其弱点:

1) 由于采用零中频架构,其本振泄露和边带信号都在信号带内,没有办法通过滤波器来对本振信号和边带进行抑制,完全靠算法来进行校准,所以对算法的要求比较高;

2) DAC 的低次谐波(二次,三次)都会在带内,同样没有办法通过滤波器来抑制,所以需要DAC 本身有比较好的二次及三次谐波性能,同时也需要算法对低次谐波进行校准,会导致算法复杂化;

3) 由于发射通道和反馈通道都是采用零中频架构,在做本振泄露和边带抑制时,需要区分发射通道的和反馈通道的本振泄露信号,所以在反馈通道中需要增加移相器来区别发射和反馈信号的本振泄露信号。

考虑到目前的算法还不能非常好的校准本振泄露,边带信号,各种低次谐波信号,对 MCGSM系统,目前还没有采用该种架构。

1.2 零中频发射,实中频反馈

和图 1 的架构不同,当反馈通道采用混频器替代解调器后,就叫实中频反馈。

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第1页:TD-LTE 发射机架构概要

第2页:TD-LTE 发射机指标分析

第3页:TD-LTE 发射机指标分析(2)

第4页:Un-wanted emissions(杂散辐射要求)

第5页:TI TD-LTE 发射关键器件要求和总结



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