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FinFET引爆投资热 半导体业战火重燃

Gartner研究副总裁?? 2013年09月17日 ?? 收藏0

量产难度高 FinFET触发设计新商机

尽管业界一致看好FinFET带来的效益,但要支援FinFET技术,无论在制程、设计、IP与电子设计自动化(EDA)工具各方面都有众多挑战,且过去许多2D平面技术的经验不再适用于FinFET,这意谓着相关供应链业者必须有新的投资计划。

从晶圆制程的观点来看,不论是晶圆前段制程或后段制程都须达到原子级的准确蚀刻(Etching),且要提升临界尺度(Critical Dimension)控制、减少矽材的蚀刻损伤、增加化学机械研磨(CMP)及双重曝光(Double Patterning)微影技术。另一大挑战是必须加入中段制程(MOL)模组,以处理3D电晶体高深宽比(High-aspect Ratio)的讯号绕线(Signal Routing)。

从设计面来看,其他挑战还包括3D建模工具的需求、能处理FinFET的模拟方法、寄生电容与寄生电阻的处理、新的可制性设计(DFM)模型与规则、单一宽度电晶体的设计、电晶体种类减少、电压降低的处理,以及布局依赖(Layout-dependent)的设计,势将带动新一波半导体产业投资研发动能,做大市场大饼。

无庸置疑,FinFET技术将在未来10年带动半导体业成长。由于智慧型手机与平板相关的半导体营收已超过PC,FinFET技术对行动产品也会日益重要。虽然FinFET会为晶圆制程技术与设计方法带来极大变化,对晶圆厂、行动应用处理器设计公司、特殊应用IC设计服务商、电子设计自动化业者与IP供应商而言,移转至FinFET技术的相关实作与支援都是未来带动营收成长的关键所在。

利用FinFET技术提高逻辑SoC效能的时代已经来临,而FinFET低耗电的优点,也促使主攻应用处理器的各大IC设计业者要求晶圆厂具备相关技术。为缩短与英特尔之间的技术差距,晶圆代工业者皆已加速研发FinFET技术,但路途仍满布荆棘。IC设计公司应拟定策略以发展FinFET设计能力,同时留意晶圆代工业者投入FinFET技术的状况,以及竞争对手在相关产品的规画。

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FinFET? 晶圆代工? 应用处理器? 电晶体?

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