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FinFET引爆投资热 半导体业战火重燃

Gartner研究副总裁?? 2013年09月17日 ?? 收藏0

复杂架构掀波澜 FinFET引发产业连锁反应

比较不同厂商的FinFET技术时,须考虑下列因素,首先是安谋国际(ARM)核心的晶片尺寸、静态随机存取记忆体(SRAM)的晶粒大小(Cell Size)、设计规则、单元资料库内轨道的数量、速度及电力消耗。

无论顶尖IC设计业者采用何种FinFET技术制造行动应用处理器,都会在晶片效能与耗能方面有所进展,因为平面技术几乎已达到极限,而且,一旦某家大型IC设计公司决定采用某种先进技术,便可能会带动连锁反应,促使其他同业加紧导入同款制程技术。

举例来说,高通(Qualcomm)决定采用28奈米多晶矽氮氧化矽(SiON)技术时,其他IC设计公司也一窝蜂跟进,让28奈米低耗能制程变成极受欢迎的技术节点。

不过,目前市场上尚无IC设计业者正式宣布将以FinFET技术生产应用处理器的计划,但相关研发作业正密切进行中,预估1年内就会有大厂根据FinFET技术推出新款行动应用处理器。以下几家晶片大厂的技术与产品发展蓝图将显著影响其他IC设计业者。

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FinFET? 晶圆代工? 应用处理器? 电晶体?

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