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FinFET引爆投资热 半导体业战火重燃

Gartner研究副总裁?? 2013年09月17日 ?? 收藏0

FinFET点燃晶圆代工厂战火

综观全球市场,英特尔(Intel)是唯一完成FinFET制程技术实作的制造商。该公司自2012年初即采用自有的第一代22奈米FinFET技术,生产Ivy Bridge中央处理器(CPU)。虽然目前英特尔以FinFET技术生产的SoC仅限于PC和其特有的伺服器应用产品,然而其已宣布将延伸至行动装置应用处理器的开发。英特尔更可望依循摩尔定律(Moore’s Law),于2013年第四季前将FinFET生产移转至第二代14奈米制程。

未来几年内,愈来愈多顶尖IC设计业者将扩大投资并导入FinFET技术,以制造更先进的智慧型手机和平板应用处理器(图1)。为因应客户需求,台积电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)与三星(Samsung)等主要晶圆代工厂已积极排定FinFET量产时程,最快可望于2013年第三季开始试产FinFET制程,准备好投入量产则将在2014年第三季以后,如图2为英特尔与晶圆代工业者的FinFET制程生产时间表预测;届时,IC设计业者与晶圆代工厂合作下,将推出以FinFET技术为基础的应用处理器,与IDM业者共同角逐市场商机。

图1 2007~2017年半导体委外服务产值预测  资料来源:Gartner
图1 2007~2017年半导体委外服务产值预测  资料来源:Gartner

在FinFET制程技术方面,多数晶圆代工厂选择在晶圆前段闸极制程(FEOL)采用14奈米FinFET技术,后段互连制程(BEOL)则仍使用20奈米。就某种程度而言,混合式的第一代14奈米FinFET制程,其实就是20奈米电晶体技术,再加上能持续提升效能与耗电效率的新型装置结构。

此种混搭制作方法或许不能在设计上缩小晶粒尺寸,但效能提高、减少电力消耗与缩短上市所需时间等优点,足以让许多一线IC设计业者决定采用FinFET技术。此外,台积电与格罗方德最近皆宣布,有意在14奈米FinFET技术上线2年后推动10奈米制程。

检视各家晶圆厂FinFET量产时间表,以及用来指涉16、14及10奈米制程的相关名称,因其系出于行销需求,所以不具重大意义。一般咸认,晶圆代工厂的第一代16/14奈米FinFET制程会较近似英特尔的22奈米制程,而晶圆代工厂10奈米的第二代FinFET制程,则比较接近英特尔14奈米的第二代FinFET技术。

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