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美高森美新型MOSFET器件瞄准RF和宽带通信应用

美高森美?? 2013年10月08日 ?? 收藏0
致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布扩展高频率垂直扩散金属氧化物半导体(VDMOS) MOSFET产品系列,两款更大功率、更高电压(V) VRF2944 和VRF3933器件经设计在2-60 megahertz (MHz)的工业、科学和医疗(ISM)频率范围运作,目标应用包括需要大功率和高增益而不影响可靠性、稳定性或互调失真的商业和国防RF功率和宽带通信

与包括SD2933的竞争器件相比,业界领先的VRF2944器件在50V供电电压下提供400W或提高33%的输出功率。美高森美公司的较大功率器件允许客户将现有系统的功率增加33%,或减少其RF功率系统的每瓦费用。此外,通过在MOSFET器件上集成一个栅极电阻来提升寄生阻抗,以保持60MHz的最大工作频率。VRF2944器件与美高森美的前代产品VRF2933相似,能够在最高65V供电电压下运作,单一VRF2944器件可以提供675W输出功率。

VRF3933器件能够在最高100V供电电压下运作,并且提供300W输出功率,较高电压MOFET器件还具有较高的输出阻抗,可以更便利地匹配50Ω负载。例如,四个VRF3933器件两两并联,而且这两个并联对器件采用推挽式,能够通过4:1变压器,使用83V供电电压向50Ω负载发送1.1 kW功率。

美高森美公司VRF产品系列的主要特性包括:

高于大多数竞争器件的电压实现较高的输出功率:Po与V2成比例;

氮钝化芯片具有高可靠性;

金涂敷和金线粘接获得更高的可靠性,并且

通过美高森美的应用工程技术团队获得设计支持

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MOSFET? RF? 宽带通信? 美高森美?

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