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超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET

Vishay?? 2013年09月09日 ?? 收藏0
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,扩充其采用超小PowerPAK SC-70封装的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的,占位面积只有2mm x 2mm,在-4.5V和-10V栅极驱动下的是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

对于电源管理中的负载和电池开关,以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关,-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5m?(-4.5V),-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外,SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A,承受很大的涌入电流,可用于负载开关。

超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET

器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,并延长电池寿命,同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用,MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件,简化了栅极驱动的设计。

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表
器件规格表

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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功率MOSFET? 导通电阻? Vishay?

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