鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,并建立10纳米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势,让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。
鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题,并提高电子移动率,因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗,现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式,加速14或16纳米FinFET量产脚步,抢先圈地市场商机。
其中,IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。
【分页导航】
? 第1页:FinFET将成晶圆厂新角力战场 | ? 第2页:晶圆厂竞逐FinFET混搭制程 |
? 第3页:台积电正积极筹组大联盟 | ? 第4页:联电紧握14/10nm主导权 |
? 第5页:联电集中火力攻FinFET | ? 第6页:格罗方德冲刺10奈米制程 |
? 第7页:下世代电晶体材料与电路互连技术 | ? 第8页:更多设备与新技术发展商机 |
? 第9页:中低阶行动装置窜红 半导体业投资策略转弯 | |
《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载
模拟设计 | 电源技术 | 嵌入式系统 | 微处理器与DSP | 可编程器件 | 测试与测量 | EDA工具与服务 | 通信 | 医疗电子 | 消费电子设计
工业电子 | 汽车电子 | 新闻 | 热点专题 | 论坛 | 小组 | 博客 | 微博 | 下载 | 视频 | 在线研讨会 | 杂志订阅 | 历史文章回顾
编辑部(编辑计划) - 广告部 - 发行部 - 读者往来 - 网站导航 - 电子网站 - 帮助- EDNChina- edn-china
京 ICP证090436号 | 京ICP备15045871号-4 | 京公网安备11010502019137 | 经营性网站执照信息?
EDN.com |
EDN Asia |
EDN Taiwan | EDN Japan |
EDN Europe |
EDN Australia | 电子工程专辑 |
国际电子商情 | DatasheetsChina
机器人网
友情链接 | 老古开发网 | 21ic中国电子网 | 电子发烧友 | 控制工程网 | 汽车工业网 | 史上最网 | 与非网 | 中自网 |
新版社区已上线,旧版论坛、博客将停用
1、为防数据丢失,旧版论坛、博客不再接受发帖;
2、老用户只需重设密码,即可直接登录新平台;
3、新版博客将于8月底完美归来,敬请期待;
4、全新论坛、问答,体验升级、手机阅读更方便。