EDN China > 商情观察 > 工业电子 > IC制造与封装 > 正文
? 2016博客大赛-不限主题,寻找电子导师,大奖升级??

晶圆厂决战FinFET制程

新电子?? 2013年09月04日 ?? 收藏0
FinFET将成晶圆厂新角力战场

鳍式电晶体(FinFET)将成晶圆厂新角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,台积、联电和格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)正倾力投资FinFET技术,并各自祭出供应链联合作战策略,预计将于2014~2015年陆续投入量产,让晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。

FinFET制程将成晶圆厂新的角力战场。为卡位16/14纳米市场商机,并建立10纳米发展优势,台积电、联电和格罗方德正倾力投资FinFET技术,并已将开战时刻设定于2014?2015年;同时也各自祭出供应链联合作战策略,期抗衡英特尔和三星等IDM的规模优势,让整个晶圆代工市场顿时硝烟弥漫。

鳍式电晶体(FinFET)技术可有效控管电晶体闸极漏电流问题,并提高电子移动率,因而能大幅提升晶片运算效能同时降低功耗,现已成为全球晶圆厂迈向下一个制程节点的唯一途径。一线大厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式,加速14或16纳米FinFET量产脚步,抢先圈地市场商机。

其中,IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung),皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米后段金属导线(BEOL)制程的方式达成试量产目标;而台积电为提早至2015年跨入16纳米FinFET世代,初版方案亦可望采用类似的混搭技术,足见此设计方式已成为晶圆厂进入FinFET世代的共通策略。

分页导航

? 第1页:FinFET将成晶圆厂新角力战场? 第2页:晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
? 第3页:台积电正积极筹组大联盟? 第4页:联电紧握14/10nm主导权
? 第5页:联电集中火力攻FinFET? 第6页:格罗方德冲刺10奈米制程
? 第7页:下世代电晶体材料与电路互连技术? 第8页:更多设备与新技术发展商机
? 第9页:中低阶行动装置窜红 半导体业投资策略转弯

《电子技术设计》网站版权所有,谢绝转载


上一页123456...9下一页
?? ?? ??


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
?? ??

FinFET? 晶圆? 卡位16/14纳米? 晶圆代工?

相关文章

我来评论
美国的游客
美国的游客 ??? (您将以游客身份发表,请登录 | 注册)
?
有问题请反馈