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Microsemi推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT

美高森美?? 2013年08月20日 ?? 收藏0
致力于提供功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(non-punch through, NPT)绝缘栅双极晶体管(insulated bipolar gate transistors, IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPT IGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。

美高森美新的功率器件通过提供业界最佳的损耗性能来改进效率,与最接近竞争厂商的IGBT产品相比,效率提高了大约8%。新的NPT IGBT器件还能够实现高达150 kHz的极高开关速率,在与美高森美的碳化硅(silicon carbide, SiC)续流二极管(free-wheeling diode)配对使用时,开关速率可以获得进一步提高。针对最高150 KHz的较低速率应用,这些领先的650V NPT IGBT通过替代成本更高的600V至650V MOSFET器件,可让开发人员降低总体系统成本。

下一代650V产品系列中的所有器件都基于美高森美先进的Power MOS 8 技术,并且采用了最先进的晶圆薄化(wafer thinning)工艺。与竞争解决方案相比,显著降低了总体开关损耗,并且可让器件在难以置信的快速开关频率下工作。利用公司在大功率、高可靠性市场的丰富传统,美高森美期望扩大IGBT市场份额,根据Yole Développement最新报告,这个市场正从现今的36亿美元增长到2018年的60亿美元。

这些NPT IGBT器件易于并联(Vcesat正温度系数),可以提升大电流模块的可靠性。它们还具有额定短路耐受时间(short circuit withstand time rated, SCWT),可以在严苛的工业环境中可靠运作。

新的IGBT器件备有各种封装,包括TO-247、T-MAX和模块。

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IGBT? 晶体管? 功率器件? 美高森美?

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