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Vishay利用新-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品

Vishay?? 2013年07月17日 ?? 收藏0
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件,扩充其TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V栅极驱动下具有业内较低的导通电阻,是首款-40V P沟道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET

SiS443DN和SiSS27DN适用于24V、19V和12V负载开关,以及移动计算、智能手机和平板电脑中电源管理等各种应用的适配器电池开关。这些器件的低导通电阻在业内领先,使设计者能够在电路里实现更低的压降,更有效地使用能源,并延长电池使用时间。

首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET
首款采用PowerPAK 1212-8S封装的-30V MOSFET

在需要更高电压的应用里,3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封装的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高导通电阻。在导通电阻非常重要的场合,SiSS27DN提供了极低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)导通电阻,采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封装。

SiS443DN和SiSS27DN进行了100%的Rg和UIS测试。MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定,符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表
器件规格表

新款P沟道MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十四周到十六周。

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MOSFET? 导通电阻? 适配器? Vishay?

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