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Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族

Vishay?? 2013年06月05日 ?? 收藏0
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术导通电阻低至30m?、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度.

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装,将10V下的导通电阻扩展到30mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩大为6A~105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术,针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用,Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。

今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导和开关损耗,可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计,通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族
Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族

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超级结技术? 导通电阻? 功率MOSFET? Vishay?

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