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三星电子首创45nm嵌入式闪存工艺

三星电子?? 2013年05月30日 ?? 收藏0
成功开发45nm智能卡芯片,快速推动商用化-比现有产品耗电量减少25%,数据读取时间缩短50%

采用业界可靠性最高的闪存存储单元-每个存储单元最少可进行100万次擦写循环

2014年下半年将量产第一批45nm商用化产品(智能卡IC

未来适用领域:消费电子/车用MCU领域制造厂/ASIC业务

三星电子成功开发业界首款45nm嵌入式闪存(Embedded Flash 或 eFlash, 内置型闪存)工艺以及采用此工艺的智能卡芯片。

嵌入式闪存工艺是在控制和处理数据的系统半导体电路中,实现闪存电路的数据存储,可提高集成度和电力效率,适用于家电,移动设备,汽车等多个领域的产品应用。

与现有的80nm工艺产品相比,此次成功开发的45nm智能卡IC具有更高的效率,耗电量减少25%,且随机读取时间(Random Access Time)缩短50%。

值得一提的是,闪存的每个存储单元(Cell)最少可进行100万次擦写循环(Endurance cycle),确保其业内最高可靠性,目前商用化内部测试已完成。

在完成设计?工艺的优化和权威机构的保密性测试后,三星电子预计明年下半年量产基于45nm嵌入式闪存工艺的智能卡芯片。

三星电子还计划利用此次开发的45nm嵌入式闪存工艺技术,向家电和车用MCU(Micro Controller Unit)产品领域的制造厂/ASIC(Application Specific Integrated Circuit)客户提供具有竞争力的解决方案。

三星电子系统LSI事业部金泰勋常务表示:“期待此次开发的45nm嵌入式闪存工艺可用于智能卡,NFC(Near Field Communication)等多种安全解决方案和移动产品上。”他还指出,“今后我们将在多种产品领域率先应用高端工艺,巩固自身综合移动解决方案供应商的地位。”

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45nm? 智能卡芯片? 闪存存储单元? 工艺?

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