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TD-LTE产业链逐渐扩大 28纳米或成主流

通信世界网?? 2013年05月14日 ?? 收藏0

数据卡先、手机终端后

“目前国内厂家在TD-LTE里面的发言权还很弱,在标准的制定,专利的拥有上面很少。”顾文军告诉记者。

从国内芯片厂商市场出货量来看,目前最大的是展讯,其次是联发科,其他厂商的出货量很少,甚至可以忽略不计。而从展讯和联发科来看,这两个厂商仍然将主要精力放在TD-SCDMA上,并非TD-LTE。因此,对于国产芯片厂商来说,保守的策略是目前面对市场的唯一方式。

对此,任燕解释称,从技术投入方面来看,展讯和联发科的策略一直是重点放在成熟市场,所以TD-LTE多模芯片对这两家来说是2014年的事情。

从终端层面来看,目前国产TD-LTE芯片技术成熟度与国际品牌有较大差距,主要是华为、展讯等少数厂家。顾文军表示,在这个领域,目前国内芯片几乎没有和高通竞争的实力。可以看到的是,做4G基带芯片的创毅视讯因为其收入下降原因,今年中止了在创业板的IPO审查。

因此,虽然中国厂商在TD-SCDMA上积累有专利和知识产权,以及技术优势,但是由于TD-LTE应该是多模标准,而中国企业在WCDMA和LTE领域几乎没有专利和技术积累,这导致在竞争中中国厂商的发展将受到很大制约。

所以无论是技术成熟度,还是中国移动发展的重点,芯片厂商都选择了对TD-LTE优先发展数据卡,然后才发展智能终端。

对此,中兴方面亦回复记者称,“2013年TD-LTE终端主要以MiFi为主,CPE与数据卡辅助,下半年LTE单卡双待手机需求将会增加,LTE CSFB手机处于实验阶段。”

具体来说,智能终端的TD-LTE多模芯片工艺要求为28纳米,而国产厂商创毅视讯、联芯科技等厂商仍停留40纳米。因此,除了已有商用产品发布的华为海思和中兴微电子外,其他基本用于数据卡。这是因为数据卡主要用于Wi-Fi环境下的数据传输,对整个运算和芯片设计的技术要求低一点,而手机最低也要达到28纳米。

联芯科技总经理助理刘先军表示,对于TD-LTE芯片市场来说,在产业发展初期,基于40纳米工艺芯片的数据类终端可以满足TD-LTE应用需求。随着TD-LTE产业成熟和商用推广,未来TD-LTE芯片和终端需进一步提升性能,LTE芯片将逐渐向28纳米演进,以提供更佳的用户体验。

正因为如此,“80%的智能终端上市新品采用的芯片还是高通,而华为和中兴的TD-LTE手机使用的是自己的芯片。”任燕称,“这是产业和政策决定的。”

此前,利用海思的芯片,华为曾推出了一款TD-LTE手机Ascend D2,主要用于中国移动试商用网络。而中兴也利用中兴微电子的芯片推出了一款智能终端产品Grand Era LTE,用于中国移动在中国香港市场,后者已宣布TD-LTE网络正式投入商用。

不过,也有另一种声音认为,工艺并不是制约芯片厂商发展的因素。朱继志表示,追求工艺会导致企业承担更大的风险。

朱继志称,“因为数据卡的门槛低,可靠性、功耗等没有手机那么复杂。”所以芯片厂商的产品研发出来后,通过切入数据卡市场,既可以解决前期找客户难的问题,也可以通过与客户的配合,解决产品自身问题和适应市场变化。

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TD-LTE? 网络制式? MiFi? 28纳米?

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