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(多图) 宽带低EVM直接变频发射机设计

ADI?? 2013年05月08日 ?? 收藏0
本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案(模拟基带输入、RF输出)。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持500MHz至4.4GHz范围内的RF频率。PLL中的本振(LO)执行谐波滤波,确保提供出色的正交精度、边带抑制和低误差矢量幅度(EVM)。

低噪声、低压差调节器(LDO)确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500MHz至4.4GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。


图1:直接变频发射机(原理示意图:未显示所有连接和去耦)。


图2:CN-0285直接变频发射机评估板。

电路描述

图1所示电路使用完全集成的小数N分频PLL IC ADF4351和宽带发射调制器ADL5375。ADF4351向发射正交调制器ADL5375提供LO信号,后者将模拟I/Q信号上变频为RF信号。两个器件共同提供宽带基带I/Q至RF发射解决方案。ADF4351采用超低噪声3.3V ADP150调节器供电,以实现最佳LO相位噪声性能。ADL5375则采用5V ADP3334 LDO供电。ADP150 LDO的输出电压噪声仅为9μVrms,有助于优化VCO相位噪声并减少VCO推压的影响(等效于电源抑制)。

需要对ADF4351 RF输出进行滤波,以衰减谐波水平,使ADL5375正交产生模块的误差最小。依据测量和仿真得知,奇次谐波对正交误差的贡献大于偶次谐波;如果将奇次谐波衰减至?30dBc以下,则可以实现?40dBc或更好的边带抑制性能。ADF4351数据手册给出了其二次谐波(2H)和三次谐波(3H)水平,如表1所示。

为使三次谐波低于-30dBc,大约需要衰减20dB。


表1:ADF4351 RF输出谐波水平(未经滤波)。

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直接变频发射机? ADF4351? ADL5375? ADP150?

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