飞兆半导体全新四路MOSFET

飞兆半导体?? 2013年05月03日 ?? 收藏0

飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率，解决了有源整流桥应用中的散热问题.

单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率，替代二极管整流桥，实现紧凑的设计并节省电路板空间.

高分辨率、紧凑有源整流桥应用（如网络摄像机）中的过热可能导致图像质量问题.同样，热致噪声可能影响系统的图像传感器，也会降低相机的图片质量。调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量，占用电路板空间，让这些设计变得更复杂.飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装，有助于克服这些严峻的设计挑战.

飞兆半导体全新四路MOSFET

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成，采用飞兆GreenBridge技术，改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率，将功耗降低了10倍。该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装，免去了散热需要，实现了紧凑设计，提高了12和24V AC应用中的功率转换效率.

规格：

最大RDS(ON) = 17.5 mΩ（VGS = 10V，ID = 8A）

最大RDS(ON) = 23 mΩ（VGS = 6V，ID = 7A）

最大RDS(ON) = 25 mΩ（VGS = 4.5V，ID = 6.5A）

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