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飞兆半导体全新四路MOSFET

飞兆半导体?? 2013年05月03日 ?? 收藏0
飞兆半导体的四路MOSFET解决方案提高了效率,解决了有源整流桥应用中的散热问题.

单个封装中的四个60V MOSFET可提高系统效率,替代二极管整流桥,实现紧凑的设计并节省电路板空间.

高分辨率、紧凑有源整流桥应用(如网络摄像机)中的过热可能导致图像质量问题.同样,热致噪声可能影响系统的图像传感器,也会降低相机的图片质量。 调节热波动的典型散热解决方案会增加元件数量,占用电路板空间,让这些设计变得更复杂.飞兆半导体的FDMQ86530L 60V四路MOSFET为设计人员提供了一体式封装,有助于克服这些严峻的设计挑战.

飞兆半导体全新四路MOSFET
飞兆半导体全新四路MOSFET

FDMQ86530L解决方案由四个60V N沟道组成,采用飞兆GreenBridge技术,改进了传导损耗和传统二极管整流桥的效率,将功耗降低了10倍。 该器件采用热增强、节省空间的4.5 x 5.0 mm MLP 12引脚封装,免去了散热需要,实现了紧凑设计,提高了12和24V AC应用中的功率转换效率.

规格:

最大RDS(ON) = 17.5 mΩ(VGS = 10V,ID = 8A)

最大RDS(ON) = 23 mΩ(VGS = 6V,ID = 7A)

最大RDS(ON) = 25 mΩ(VGS = 4.5V,ID = 6.5A)

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四路MOSFET? FDMQ86530L? 有源整流桥? 飞兆半导体?

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