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亮点：
包括经过验证的实现与制造工具，以及用以设计FinFET器件的IP
被FinFET技术的早期采用者和主要晶圆代工厂投入到生产中
包括晶圆代工厂认证的嵌入式存储器和逻辑库IP
为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权（IP）及服务的新思科技公司日前宣布：即日起提供其基于FinFET技术的半导体设计综合解决方案。该解决方案包含了一系列DesignWare嵌入式存储器和逻辑库IP，其Galaxy实现平台中经芯片验证过的设计工具，以及晶圆代工厂认证的提取、仿真和建模工具。它还包含了多家晶圆厂用于开发FinFET工艺所需的TCAD和掩膜综合产品。各种FinFET器件的三维结构代表了晶体管制造领域内的一个重大转变，它影响了设计实现工具、制造工具及设计IP。通过与业界领先的晶圆代工厂、研究机构和早期采用者在工程领域长达五年的开发合作，Synopsys的FinFET解决方案为实现从平面到3D晶体管的成功过渡提供了各种经生产验证的技术。该全线解决方案为加速FinFET技术的部署提供了强大的EDA工具和IP基础，该技术可为半导体设计提供更低的功耗、更好的性能与更小的面积。
“Synopsys持续地投入巨资来开发一个完整的解决方案，以推进包括FinFET在内的新工艺几何节点和器件的应用，” Synopsys高级副总裁兼设计实现业务部总经理Antun Domic说道。“Synopsys与FinFET生态系统中的合作伙伴，包括晶圆厂、早期采用者及研究机构等广泛合作，使我们能够提供业界顶级的技术，并且使市场认识到这种新型晶体管设计的所有潜在优势。”
“随着我们开始提供新的14nm-XM工艺，我们已经加快了我们领先的发展路线，以提供一种为日益扩张的移动市场而优化的FinFET技术，” GLOBALFOUNDRIES高级副总裁兼首席技术官Gregg Bartlett说道。“与合作伙伴携手已经成为我们能够提供这种创新的FinFET解决方案的关键因素。我们很早就已经与Synopsys在多个领域内开展合作，包括FinFET器件的HSPICE建模。我们延续了我们的合作，以加快我们共同的客户对FinFET技术的采用。”
“我们与Synopsys在FinFET技术上的合作是保持我们半导体行业领先地位的关键，”三星电子有限公司负责系统LSI基础架构设计中心的高级副总裁Kyu-Myung Choi博士说道。“我们的晶圆代工厂和半导体设计专业知识与Synopsys多样化的EDA工具和IP开发经验相结合，使我们能够有效地应对与FinFET相关的挑战。我们将继续巩固这种强大的合作关系，以使FinFET技术收益最大化。”
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