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Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

Vishay?? 2012年11月29日 ?? 收藏0
日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8m?最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件,在实现低导通电阻的同时,高度比通常的0.75mm还要低28%,同时保持相同的PCB布版样式。

Si7655DN的应用将包括工业系统中的负载开关和热插拔,适配器、电池和充电电路中的负载开关,智能手机、平板电脑和其他移动计算设备中的电源管理。Si7655DN还可以用于固话电信、蜂窝电话基站和服务器/计算机系统中的冗余开关、OR-ing和监管应用。

利用新的PowerPAK 1212封装型号和Vishay Siliconix业内领先的P沟道Gen III技术,Si7655DN具有3.6m?(-10V)、4.8m?(-4.5V)和8.5m?(-2.5V)的最大导通电阻。这些性能规格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

Si7655DN的低导通电阻使设计者能够在电路中实现更低的压降,更有效地使用电能,让电池运行的时间更长,且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封装将有助节省宝贵的空间。

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P沟道MOSFET系列中的最新成员。

新的Si7655DN现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET

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MOSFET? Si7655DN? 电源管理? Vishay?

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