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Microsemi新肖特基二极管提升电气功率转换效率

Microsemi?? 2012年11月22日 ?? 收藏0

致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的供应商美高森美公司推出采用碳化硅(SiC)材料和技术的全新1200 V 肖特基二极管系列，新的二极管产品瞄准广泛的工业应用，包括太阳能逆变器、电焊机、等离子切割机、快速车辆充电、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高压应用。

与硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有多项优势，包括较高的击穿场强度和更好的导热性，这些特性可让设计人员创建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢复、不受温度影响特性、较高的电压能力，以及较高的工作温度，从而达到新的性能、效率和可靠性水平。

除了SiC二极管器件固有的优势之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸贴片，背部可焊接的D3 封装SiC 肖特基二极管的制造商，允许设计人员达到更高的功率密度和较低的制造成本。

美高森美公司功率产品部总经理Russell Crecraft表示：“我们利用超过25年的功率半导体器件设计和制造专有技术，推出具有无与伦比的性能、可靠性和总体质量水平的SiC二极管系列。下一代功率转换系统需要更高的功率密度、更高的工作频率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能够帮助系统设计人员满足这些需求。”

全新1200V SiC 肖特基二极管产品阵容包括：

APT10SCD120BCT (1200V、10A、共阴极TO-247封装)

APT20SCD120B (1200V、20A、TO-247封装)

APT30SCD120B (1200V、30A、TO-247封装)

APT20SCD120S (1200V、20A、D3 封装)

APT30SCD120S (1200V、30A、D3 封装)

美高森美新型SiC 肖特基二极管现已量产，要了解更多的信息或获取样品，请联络当地分销商或美高森美公司销售代表。

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